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절연기판 상에 위치하며, 촉매금속 물질을 이용한 비정질 실리콘의 결정화 공정을 통해 형성된 폴리실리콘 박막으로 액티브층을 형성하는 단계와;
50 ~ 500W의 파워를 갖는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장비를 이용하여 1 × 1013 ~ 9 × 1013cm-2의 이온 도즈량을 갖는 H+ 이온을 상기 액티브층에 주입시켜 상기 액티브층 내부에 잔존하는 촉매금속 물질을 전기적으로 중성화시키는 단계와;
상기 액티브층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
상기 게이트 절연막 위로 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 차례대로 형성하는 단계
를 포함하는 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 H+ 이온을 상기 액티브층에 주입시키는 단계는, 이온주입 방식, 샤워 방식, 플라즈마 방식 중 어느 하나에서 선택되는 공정을 이용하는 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 폴리실리콘 박막으로 액티브층을 형성하는 단계는, 상기 폴리실리콘 박막을 패터닝(patterning)하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 액티브층, 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스 전극, 드레인 전극은 박막트랜지스터 소자를 이루고, 상기 박막트랜지스터 소자를 덮는 영역에는 보호층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 보호층을 이루는 물질은 H+를 포함하는 실리콘 질화막에서 선택되는 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서,
상기 실리콘 질화막은, 저온 증착 또는 H+ 플라즈마 처리 중 어느 하나를 통해 형성되는 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 촉매금속 물질로 비정질 실리콘을 결정화하는 단계는, 열에너지를 이용하는 결정화 단계인 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 촉매금속 물질로 비정질 실리콘을 결정화하는 단계는, 금속전극을 이용한 전계로 결정화 단계인 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 촉매금속 물질은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 코발트(Co), 망간(Mn) 중 어느 하나에서 선택되는 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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