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반도체 발광 다이오드 제조 방법

기술번호 : KST2015027191
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 발광 다이오드에 사용되는 질화물 기판의 하면에 오믹 전극을 증착하고, 증착한 오믹 전극의 하부에 고 반사율을 가진 금속이나 절연체가 사용된 반사막과 본딩용 패드인 n패드 전극을 순차적으로 형성하여 반도체 발광 다이오드의 발광시 n패드전극에 흡수되는 광을 최소한으로 줄여 발광 효율을 증대시킨다. 반도체, 발광, 다이오드, 발광, 효율, 반사막, 적층, 절연체
Int. CL	H01L 33/36 (2014.01)
CPC	H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자	1020030004473 (2003.01.23)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0945984-0000 (2010.02.26)
공개번호/일자	10-2004-0067397 (2004.07.30) 문서열기
공고번호/일자	(20100309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.12.18)
심사청구항수	6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	서주옥	대한민국	경기도의왕시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2003-0023632-14
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2007.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2007-0910338-16
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.07.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.08.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0053347-91
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.06.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0267374-59
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.07.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0432798-84
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.07.16	수리 (Accepted)	1-1-2009-0432796-93
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	등록결정서 Decision to grant	2009.12.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0529562-15
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 질화물 기판 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층, 제 1 오믹전극을 순차적으로 적층하고, 상기 제 1 오믹전극 상면에 금속을 증착하고 패터닝하여 p패드 전극을 형성하는 제 1 단계; 상기 질화물 기판의 하면에 금속을 증착하고 단위 칩별로 패터닝하여 제 2 오믹전극을 형성하는 제 2 단계; 상기 제 2 오믹전극의 하부에 반사막과 n패드 전극을 순차적으로 적층하는 제 3 단계; 상기 질화물 기판부터 제 1 오믹전극까지 단위 칩별로 스크라이빙시켜 분리하는 제 4 단계로 이루어지는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 반사막은; 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 금속은; 알루미늄(Al) 또는 금(Ag)인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법
4	4 질화물 기판 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층, 제 1 오믹전극을 순차적으로 적층하고, 상기 제 1 오믹전극 상면에 금속을 증착하고 패터닝하여 p패드 전극을 형성하는 제 1 단계; 상기 질화물 기판의 하면에 금속을 증착하고 단위 칩별로 패터닝하여 제 2 오믹전극을 형성하는 제 2 단계; 상기 제 2 오믹전극의 하면에 절연막을 증착하고, 상기 절연막의 일영역을 제거하여 상기 제 2 오믹전극의 일부를 노출시키는 제 3 단계; 상기 절연막과 노출된 제 2 오믹전극의 하면에 금속을 증착하여 n패드 전극을 형성하는 제 4 단계; 상기 질화물 기판부터 제 1 오믹전극까지 단위 칩별로 스크라이빙시켜 분리하는 제 5 단계로 이루어지는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 절연막은; HR 코팅(High Reflective coating)용 절연체로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 절연체는; TiO2, SiO2, Al2O3 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0945984-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030123 출원 번호 : 1020030004473 공고 연월일 : 20100309 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091224 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 반도체 발광 다이오드 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190227

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	279,000 원	2010년 02월 26일	납입
제 4 년분	금 액	172,000 원	2013년 01월 28일	납입
제 5 년분	금 액	172,000 원	2014년 01월 24일	납입
제 6 년분	금 액	172,000 원	2015년 02월 13일	납입
제 7 년분	금 액	328,000 원	2016년 01월 22일	납입
제 8 년분	금 액	328,000 원	2017년 01월 24일	납입
제 9 년분	금 액	328,000 원	2018년 01월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2003-0023632-14
2	출원인정보변경(경정)신고서	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2007.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2007-0910338-16
4	선행기술조사의뢰서	2008.07.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
6	선행기술조사보고서	2008.08.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0053347-91
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
8	의견제출통지서	2009.06.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0267374-59
9	[명세서등 보정]보정서	2009.07.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0432798-84
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.07.16	수리 (Accepted)	1-1-2009-0432796-93
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	등록결정서	2009.12.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0529562-15
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015027191
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	반도체 발광 다이오드 제조 방법
기술개요	본 발명은 반도체 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 발광 다이오드에 사용되는 질화물 기판의 하면에 오믹 전극을 증착하고, 증착한 오믹 전극의 하부에 고 반사율을 가진 금속이나 절연체가 사용된 반사막과 본딩용 패드인 n패드 전극을 순차적으로 형성하여 반도체 발광 다이오드의 발광시 n패드전극에 흡수되는 광을 최소한으로 줄여 발광 효율을 증대시킨다. 반도체, 발광, 다이오드, 발광, 효율, 반사막, 적층, 절연체
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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