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내측면에 투명한 재질의 서셉터가 장착되어 있고, 상기 서셉터를 노출시키는 전기로가 외주면에 형성되어 있는 성장 챔버의 서셉터에 기판을 안착시키는 제 1 단계와;
상기 서셉터에 안착된 기판 상부에 질화갈륨 버퍼층을 형성하는 제 2 단계와;
상기 성장 챔버의 외주면으로 노출된 상기 서셉터로 레이저 광을 조사하여 상기 질화갈륨 버퍼층을 상기 기판으로부터 분리하는 제 3 단계와;
상기 기판으로부터 분리한 상기 질화갈륨 버퍼층 상부에 질화갈륨층을 형성하는 제 4 단계로 이루어지는, 질화갈륨 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는;
상기 성장 챔버내의 보트에 갈륨을 수납하고, 상기 성장 챔버 내의 서셉터에 기판을 안착시키는 제 11 단계;
상기 챔버에 열을 가하여 상기 챔버의 온도를 질화갈륨 버퍼층 성장 온도로 조절하고, 상기 갈륨이 수납된 보트로 반응 가스를 주입하는 제 12 단계;
상기 챔버의 내부로 N생성 가스(NH3)를 주입하고, 상기 제 12 단계의 반응 가스와 상기 갈륨의 화학 반응으로 생성된 반응물과 상기 주입한 N 생성 가스의 결합을 통해 상기 기판 상부에 질화갈륨 버퍼층을 형성하는 제 13 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는;
미러(mirror)를 통해 상기 서셉터의 하부 방향으로 레이저 광을 조사하여 질화갈륨 버퍼층을 질화갈륨의 성장온도에서, 상기 기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는;
상기 챔버에 열을 가하여 상기 챔버의 온도를 질화갈륨층 성장 온도로 조절하고, 갈륨이 수납된 상기 성장 챔버내의 보트로 반응 가스를 주입하는 제 31 단계;
상기 성장 챔버의 내부로 N 생성가스(NH3)를 주입하고, 상기 제 31 단계의 반응 가스와 상기 갈륨의 화학 반응으로 생성된 반응물과 상기 주입한 N 생성 가스의 화학 반응을 통해 상기 질화갈륨 버퍼층 상부에 질화갈륨층을 형성하는 제 32 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 갈륨은;
메탈 갈륨 또는 질화갈륨, 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 반응 가스와 N2 생성 가스는;
각기 염화수소(HCL) 가스와 암모니아(NH3) 가스인 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법
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