기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

발광 다이오드 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015027208
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여, 동일한 폭의 절연막 상부에 위치한 영역에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하거나, 또는 폭이 서로 다른 두 개의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하고, 이렇게 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 그 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하도록 함으로써 단일 칩의 발광 다이오드에서 동시에 여러 파장의 광을 낼 수 있게 되어 그 광들의 혼합으로 다양한 색의 구현이 가능하다. 발광, 다이오드, 파장, 색, 홈
Int. CL	H01L 33/22 (2014.01)
CPC	H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자	1020030004938 (2003.01.24)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0504179-0000 (2005.07.20)
공개번호/일자	10-2004-0067705 (2004.07.30) 문서열기
공고번호/일자	(20050728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.01.24)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김민홍	대한민국	경기도고양시덕양구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	박창남	대한민국	서울특별시 서초구 반포대로길 , *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3	장재용	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로길 -, 층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
6	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.01.24	수리 (Accepted)	1-1-2003-0027098-25
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.06.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.07.14	수리 (Accepted)	9-1-2004-0044090-03
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0039963-56
6	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.03.23	수리 (Accepted)	1-1-2005-0152382-66
7	의견서 Written Opinion	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219857-45
8	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.04.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0219873-76
9	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219854-19
10	등록결정서 Decision to grant	2005.07.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0335180-89
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 이종 기판 상면에 제 1 n-질화물층을 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 절연막을 형성하는 제 2 단계;상기 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 절연막의 상부에 위치한 영역의 상부 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 제 3 단계;상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하는 제 4 단계;상기 활성층 상면에 p-질화물층을 형성하는 제 5 단계;상기 p-질화물층 상면의 일부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 발광 다이오드 제조 방법
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는;상기 제 1 n-질화물층을 900℃ ~ 1050℃의 온도에서 측면 성장시켜 상기 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법
4	4 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 홈은;V-그루브(groove)인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법
5	5 이종 기판 상면에 제 1 n-질화물층을 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막보다 폭이 넓은 제 2 절연막을 규칙적으로 반복되게 형성하는 제 2 단계;상기 제 1 절연막과 제 2 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 상부 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 제 3 단계;상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하는 제 4 단계;상기 활성층 상면에 p-질화물층을 형성하는 제 5 단계;상기 p-질화물층 상면의 일부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 발광 다이오드 제조 방법
6	6 삭제
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 절연막과 제 2 절연막은; 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물, 텅스텐 및 텅스텐 질화물 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법
8	8 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 단계는;상기 제 1 n-질화물층을 900℃ ~ 1050℃의 온도에서 측면 성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법
9	9 제 5 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 홈은;V-그루브(groove)인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법
10	10 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층;상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 절연막;상기 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 절연막의 상부에 위치한 영역의 상부 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층;상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 형성된 활성층;상기 활성층 상면에 형성된 p-질화물층;상기 p-질화물층 상면의 일부에 형성된 p패드 전극과, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 발광 다이오드
11	11 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층;상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막보다 폭이 넓은 제 2 절연막;상기 제 1 절연막과 제 2 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 상부 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층;상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 형성된 활성층;상기 활성층 상면에 형성된 p-질화물층;상기 p-질화물층 상면의 일부에 형성된 p패드 전극과, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 발광 다이오드
12	11 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층;상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막보다 폭이 넓은 제 2 절연막;상기 제 1 절연막과 제 2 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 상부 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층;상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 형성된 활성층;상기 활성층 상면에 형성된 p-질화물층;상기 p-질화물층 상면의 일부에 형성된 p패드 전극과, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 발광 다이오드

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0504179-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030124 출원 번호 : 1020030004938 공고 연월일 : 20050728 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050715 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170721

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	567,000 원	2005년 07월 21일	납입
제 4 년분	금 액	258,000 원	2008년 06월 18일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2009년 06월 19일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2010년 06월 30일	납입
제 7 년분	금 액	442,000 원	2011년 06월 20일	납입
제 8 년분	금 액	442,000 원	2012년 06월 19일	납입
제 9 년분	금 액	442,000 원	2013년 06월 24일	납입
제 10 년분	금 액	735,000 원	2014년 06월 24일	납입
제 11 년분	금 액	735,000 원	2015년 06월 24일	납입
제 12 년분	금 액	735,000 원	2016년 06월 24일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.01.24	수리 (Accepted)	1-1-2003-0027098-25
2	출원인정보변경(경정)신고서	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	선행기술조사의뢰서	2004.06.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2004.07.14	수리 (Accepted)	9-1-2004-0044090-03
5	의견제출통지서	2005.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0039963-56
6	지정기간연장신청서	2005.03.23	수리 (Accepted)	1-1-2005-0152382-66
7	의견서	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219857-45
8	명세서등보정서	2005.04.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0219873-76
9	대리인선임신고서	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219854-19
10	등록결정서	2005.07.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0335180-89
11	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
12	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
13	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015027208
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	발광 다이오드 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여, 동일한 폭의 절연막 상부에 위치한 영역에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하거나, 또는 폭이 서로 다른 두 개의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하고, 이렇게 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 그 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하도록 함으로써 단일 칩의 발광 다이오드에서 동시에 여러 파장의 광을 낼 수 있게 되어 그 광들의 혼합으로 다양한 색의 구현이 가능하다. 발광, 다이오드, 파장, 색, 홈
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015055611][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015068801][LG그룹]	무분극 이종 기판 및 그 제조방법, 이를 이용한 질화물계 발광 소자	새창보기
[KST2015064284][LG그룹]	질화물계 반도체 발광 소자	새창보기
[KST2015050954][LG그룹]	거침처리된 사파이어 기재 기판을 이용한 화합물 반도체기판 및 그 제조방법과, 이를 이용한 고휘도 발광 소자 및그 제조방법	새창보기
[KST2015062090][LG그룹]	질화물계 발광 소자	새창보기
[KST2015031188][LG그룹]	질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법	새창보기
[KST2015055953][LG그룹]	발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015063679][LG그룹]	발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법	새창보기
[KST2015068821][LG그룹]	질화물계 발광 소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015027368][LG그룹]	반도체 발광 소자 제조 방법	새창보기
[KST2015030813][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015037921][LG그룹]	갈륨나이트라이드계 광소자 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015049029][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015060076][LG그룹]	발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택