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발광 소자 제조 방법

기술번호 : KST2015027261
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 발광 소자 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판 상부에 N-GaN층, 활성층, 확산방지층, 제 1 P-GaN층과 상기 제 1 P-GaN층보다 P타입 캐리어의 농도가 작게 도핑되는 제 2 P-GaN층을 순차적으로 성장시키는 제 1 단계와; 열처리 공정을 수행하여, 제 1 P-GaN층과 제 2 P-GaN층의 P타입 캐리어를 확산시켜, 상기 확산방지층, 제 1 P-GaN층과 제 2 P-GaN층으로 이루어지고, P타입 캐리어가 균일하게 분포된 P-GaN층을 형성하는 제 2 단계와; 상기 P-GaN층에서 상기 N-GaN층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 제 3 단계와; 상기 P-GaN층의 상부에 P-전극패드를 형성하고, 상기 식각된 N-GaN층의 상부에 N-전극패드를 형성하는 제 4 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 고온, 고농도의 Mg 도핑조건에서 성장되는 P-GaN 성장에 전에, Mg가 도핑되지 않는 확산방지층을 성장시킴으로써, 고온 확산에 의해 Mg가 활성층으로 침투하는 것을 방지하여, 활성층 안으로 Mg 확산에 의한 결함 생성을 억제하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 질화물, 발광소자, 확산, Mg, 방지층
Int. CL	H01L 33/14 (2014.01)
CPC	H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자	1020030013020 (2003.03.03)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0882977-0000 (2009.02.03)
공개번호/일자	10-2004-0078212 (2004.09.10) 문서열기
공고번호/일자	(20090212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.09.19)
심사청구항수	3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	문영부	대한민국	경기도안양시동안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.03.03	수리 (Accepted)	1-1-2003-0074184-45
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2007.09.19	수리 (Accepted)	1-1-2007-0679070-66
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.05.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0298682-98
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.07.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0543447-10
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.07.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0543464-86
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
8	등록결정서 Decision to grant	2008.12.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0611979-52
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 사파이어 기판 상부에 N-GaN층, 활성층, 확산방지층, 제 1 P-GaN층과 상기 제 1 P-GaN층보다 P타입 캐리어의 농도가 작게 도핑되는 제 2 P-GaN층을 순차적으로 성장시키는 제 1 단계와;열처리 공정을 수행하여, 제 1 P-GaN층과 제 2 P-GaN층의 P타입 캐리어를 확산시켜, 상기 확산방지층, 제 1 P-GaN층과 제 2 P-GaN층으로 이루어지고, P타입 캐리어가 균일하게 분포된 P-GaN층을 형성하는 제 2 단계와;상기 P-GaN층에서 상기 N-GaN층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 제 3 단계와;상기 P-GaN층의 상부에 P-전극패드를 형성하고, 상기 식각된 N-GaN층의 상부에 N-전극패드를 형성하는 제 4 단계로 구성되며, 상기 확산방지층은 도핑되지 않은 GaN층인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 P-GaN층은 상기 제 2 P-GaN층보다 Mg를 10~20% 더 도핑시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
4	4 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 P-GaN층의 두께는 10~30㎚인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
5	4 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 P-GaN층의 두께는 10~30㎚인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0882977-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030303 출원 번호 : 1020030013020 공고 연월일 : 20090212 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20081202 청구범위의 항수 : 3 유별 : H01L 33/00 A06 발명의 명칭 : 발광 소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190204

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	201,000 원	2009년 02월 03일	납입
제 4 년분	금 액	106,000 원	2011년 12월 20일	납입
제 5 년분	금 액	106,000 원	2013년 01월 28일	납입
제 6 년분	금 액	106,000 원	2014년 01월 24일	납입
제 7 년분	금 액	214,000 원	2015년 01월 28일	납입
제 8 년분	금 액	214,000 원	2016년 01월 22일	납입
제 9 년분	금 액	214,000 원	2017년 01월 24일	납입
제 10 년분	금 액	405,000 원	2018년 01월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.03.03	수리 (Accepted)	1-1-2003-0074184-45
2	출원인정보변경(경정)신고서	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2007.09.19	수리 (Accepted)	1-1-2007-0679070-66
4	의견제출통지서	2008.05.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0298682-98
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.07.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0543447-10
6	[명세서등 보정]보정서	2008.07.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0543464-86
7	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
8	등록결정서	2008.12.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0611979-52
9	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
11	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015027261
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	발광 소자 제조 방법
기술개요	본 발명은 발광 소자 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판 상부에 N-GaN층, 활성층, 확산방지층, 제 1 P-GaN층과 상기 제 1 P-GaN층보다 P타입 캐리어의 농도가 작게 도핑되는 제 2 P-GaN층을 순차적으로 성장시키는 제 1 단계와; 열처리 공정을 수행하여, 제 1 P-GaN층과 제 2 P-GaN층의 P타입 캐리어를 확산시켜, 상기 확산방지층, 제 1 P-GaN층과 제 2 P-GaN층으로 이루어지고, P타입 캐리어가 균일하게 분포된 P-GaN층을 형성하는 제 2 단계와; 상기 P-GaN층에서 상기 N-GaN층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 제 3 단계와; 상기 P-GaN층의 상부에 P-전극패드를 형성하고, 상기 식각된 N-GaN층의 상부에 N-전극패드를 형성하는 제 4 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 고온, 고농도의 Mg 도핑조건에서 성장되는 P-GaN 성장에 전에, Mg가 도핑되지 않는 확산방지층을 성장시킴으로써, 고온 확산에 의해 Mg가 활성층으로 침투하는 것을 방지하여, 활성층 안으로 Mg 확산에 의한 결함 생성을 억제하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 질화물, 발광소자, 확산, Mg, 방지층
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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