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화합물 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015027291
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요약 본 발명은 화합물 반도체 소자에 관한 것으로, 제작시에 열처리 공정을 실시해야 하는 소자에 있어서, 상기 소자 후면에 광 흡수층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 상기 소자 후면에 형성된 광 흡수층이 소자를 투과한 광을 직접 흡수하여 상부의 소자를 열처리하므로 재현성 있고 균일한 특성을 얻을 수 있으며, 열처리시에 소모되는 에너지를 줄일 수 있다. RTA, 열처리, GaN
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 29/454(2013.01) H01L 29/454(2013.01) H01L 29/454(2013.01)
출원번호/일자 1020030013148 (2003.03.03)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0998894-0000 (2010.12.01)
공개번호/일자 10-2004-0078287 (2004.09.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재승 대한민국 서울특별시서초구
2 김종욱 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0074798-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0089613-65
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.20 수리 (Accepted) 9-1-2009-0019208-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0390816-91
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0714269-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0714271-72
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0119015-15
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0329210-91
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0329212-82
15 등록결정서
Decision to grant
2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0435464-25
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1면과 제2면을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1면 상에 위치하는 GaN 화합물 반도체층; 상기 GaN 화합물 반도체층 상에 위치하는 오믹 금속층; 및 상기 기판의 제2면 상에 위치하며, 상기 오믹 금속층의 형성을 위한 열처리 과정에서 필요한 열을 제공하기 위하여 적외선을 흡수하는 광 흡수층을 구비하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 소자는 열처리 공정시에 조사되는 광을 투과시킬 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 광 흡수층은 열처리 공정시에 조사되는 광을 흡수하여 상부의 소자를 가열하도록 구성됨을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.