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반도체 발광 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015027368
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요약 본 발명은 반도체 발광 소자 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 발광 소자에서 광이 통과하는 영역에 대응되는 표면을 무정형(無定型)의 패턴으로 가공하여 거칠게 함으로써, 그 발광 소자내의 활성층에서 발생된 광이 난반사를 통해 외부로 방출되도록 하여 그 반도체 발광 소자의 발광 효율을 향상시킨다. 이를 위해 본 발명은 반도체 발광 기판의 상면을 무정형(無定型)의 패턴으로 가공하고, 이렇게 무정형의 패턴으로 가공된 반도체 발광 기판의 상면에 마스크 물질을 도포하여 마스크층을 형성한 다음, 이 마스크층을 패터닝하여 무정형의 패턴으로 가공된 반도체 발광 기판의 상면 일부를 노출시켜 반도체 발광 소자를 제조하도록 한다. 반도체, 발광, 영역, 기판, 표면, 가공
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020030014808 (2003.03.10)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0970045-0000 (2010.07.06)
공개번호/일자 10-2004-0079768 (2004.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20100716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2003-0083124-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0125760-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061661-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0492917-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0009309-95
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0009310-31
12 등록결정서
Decision to grant
2010.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0186374-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
반도체 발광 기판의 상면을 무정형(無定型)의 패턴으로 가공하는 제 1 단계; 상기 제 1 단계에 따라 무정형의 패턴으로 가공된 반도체 발광 기판의 상면에 마스크 물질을 도포하여 마스크층을 형성하는 제 2 단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 무정형의 패턴으로 가공된 반도체 발광 기판의 상면 일부를 노출시키는 제 3 단계로 이루어지는, 반도체 발광 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는; 상기 노출되는 반도체 발광 기판의 상면 일부가 광 관통 영역 - 상기 반도체 발광 기판에 전류를 공급하여 그 활성층에서 발생된 광이 외부로 방출될 때 상기 활성층에서 발생된 광이 관통하는 상면 일부 영역 - 에 해당하는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 소자 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 발광 기판은; 레이저 발광 다이오드(LD) 또는 발광 다이오드(LED) 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 소자 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 물질은; 포토 레지스트인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.