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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015027381
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 통상의 반도체 레이저 다이오드의 p-캡층 상부에 제 1 유전막, 확산 반응막을 순차적으로 증착하여 패터닝하고, 상기 확산 반응막부터 상기 유전막까지 수직 방향으로 일부 영역을 식각하여 상기 p-캡층의 일부를 노출시킨 다음, 노출된 p-캡층 및 확산 반응막의 상면에 제 2 유전막을 형성하고 열처리를 통해 상기 패터닝한 제 1 유전막의 하면에 위치한 p-캡층부터 상기 n-클래드층의 일부 또는 그 저면까지 수직 방향으로 윈도우 층을 형성하여, 벽개면 근처에서 광 흡수가 발생되지 않도록 함으로써 반도체 레이저 다이오드의 광출력을 향상시키고 그 수명을 연장시킬 수 있도록 한다. 윈도우, 벽개면, 확산, 광, 투과, 반도체, 레이저, 다이오드
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030013407 (2003.03.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0520704-0000 (2005.10.05)
공개번호/일자 10-2004-0078458 (2004.09.10) 문서열기
공고번호/일자 (20051017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.03.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임원택 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
6 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-0076250-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0002402-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0201543-06
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0349403-02
7 의견서
Written Opinion		 2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0349411-67
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0349413-58
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0479623-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-GaAs 기판 상부에 n-클래드층, 활성층, p-클래드층을 순차적으로 형성하는 제 1 단계; 상기 p-클래드층의 상부 일부를 식각하여 길이 방향으로 돌출된 리지를 형성하고, 상기 리지의 양측면에 형성되어 있는 p-클래드층의 상면에 상기 리지의 상면과 동일한 높이로 전류 차단층을 형성하는 제 2 단계; 상기 리지 및 전류 차단층 상면에 p-캡층을 형성하는 제 3 단계; 상기 p-캡층 상부에 제 1 유전막, 확산 반응막을 순차적으로 증착하여 패터닝하고, 상기 확산 반응막부터 상기 유전막까지 수직 방향으로 일부 영역을 식각하여 상기 p-캡층의 일부를 노출시키는 제 4 단계; 상기 노출된 p-캡층 및 확산 반응막의 상면에 제 2 유전막을 형성하고 열처리하여 상기 패터닝한 제 1 유전막의 하면에 위치한 p-캡층부터 상기 n-클래드층의 일부 또는 그 저면까지 수직 방향으로 윈도우 층을 형성하는 제 5 단계; 상기 제 1 유전막, 확산 반응막, 제 2 유전막을 제거하고, 상기 p-캡층 상면과 n-GaAs 기판 하면에 각기 p-패드 전극과 n-패드 전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전막은; SiO2 박막인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 확산 반응막은; GaAs와 Zn이 혼합된 박막, Zn3As2박막, Zn3P2박막, ZnO박막 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 유전막은; SiN박막, SrF2박막 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
5 5
n-GaAs기판 상부에 n-클래드층, 활성층, p-클래드층을 순차적으로 형성하되, 상기 p-클래드층의 상부 일부에는 길이 방향으로 돌출된 리지를 형성하고; 상기 리지의 양측면에 형성되어 있는 p-클래드층의 상면에 상기 리지의 상면과 동일한 높이로 전류 차단층을 형성하고; 상기 리지 및 전류 차단층 상면에 p-캡층을 형성하고; 상기 p-캡층 상부에 제 1 유전막, 확산 반응막을 순차적으로 형성하고; 상기 확산 반응막부터 상기 제 1 유전막까지 수직 방향으로 일부 영역을 식각하여 상기 p-캡층의 일부를 노출시키고, 상기 노출된 p-캡층 및 확산 반응막의 상면에 제 2 유전막을 형성하고; 상기 제 1 유전막의 하면에 위치한 p-캡층부터 상기 n-클래드층의 일부 또는 그 저면까지 열처리를 통해 수직 방향으로 윈도우 층을 형성하고; 상기 제 1 유전막, 확산 반응막, 제 2 유전막을 제거하여 상기 p-캡층 상면과 n-GaAs기판 하면에 각기 p-패드 전극과 n-패드 전극을 형성하여 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드
6 5
n-GaAs기판 상부에 n-클래드층, 활성층, p-클래드층을 순차적으로 형성하되, 상기 p-클래드층의 상부 일부에는 길이 방향으로 돌출된 리지를 형성하고; 상기 리지의 양측면에 형성되어 있는 p-클래드층의 상면에 상기 리지의 상면과 동일한 높이로 전류 차단층을 형성하고; 상기 리지 및 전류 차단층 상면에 p-캡층을 형성하고; 상기 p-캡층 상부에 제 1 유전막, 확산 반응막을 순차적으로 형성하고; 상기 확산 반응막부터 상기 제 1 유전막까지 수직 방향으로 일부 영역을 식각하여 상기 p-캡층의 일부를 노출시키고, 상기 노출된 p-캡층 및 확산 반응막의 상면에 제 2 유전막을 형성하고; 상기 제 1 유전막의 하면에 위치한 p-캡층부터 상기 n-클래드층의 일부 또는 그 저면까지 열처리를 통해 수직 방향으로 윈도우 층을 형성하고; 상기 제 1 유전막, 확산 반응막, 제 2 유전막을 제거하여 상기 p-캡층 상면과 n-GaAs기판 하면에 각기 p-패드 전극과 n-패드 전극을 형성하여 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.