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반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015027385
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 소자의 광 방출면과 광 반사면에 인접되고, 식각 정지층 상부의 상호 이격된 두 영역에 각각의 N타입 전류 방지층을 형성하여 소자를 제조함으로써, 미러(Mirror)면으로 주입되는 전류는 N타입 전류 방지층에 의해 차단되므로, 소자의 전류 퍼짐 현상을 방지할 수 있어, 소자의 광 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 반도체, 레이저, 다이오드, 전류 방지층, NAM
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030014809 (2003.03.10)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0489477-0000 (2005.05.04)
공개번호/일자 10-2004-0079769 (2004.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.03.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황종승 대한민국 서울특별시금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2003-0083126-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0002443-88
5 등록결정서
Decision to grant		 2005.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0196014-46
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N타입 GaAs 기판의 상부에 N타입 버퍼층, N타입 클래드층, 활성층, P타입 제 1 클래드층과 식각 정지층(Etching Stop Layer, ESL)이 순차적으로 형성되어 이루어진 제 1 적층 에피층과; 상기 제 1 적층 에피층의 식각 정지층 상부 영역중, 소자의 광 방출면과 광 반사면에 인접되고, 상호 이격된 두 영역에 형성된 N타입 전류 방지층과; 상기 광 방출면에서 광 반사면까지 연장되도록, 상기 N타입 전류 방지층과 식각 정지층의 상부에 P타입 제 2 클래드층과 P타입 캡층이 순차적으로 적층되어 형성된 리지형 제 2 적층 에피층을 포함하여 구성된 반도체 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 N타입 버퍼층은 N타입 GaAs층이고, 상기 N타입 클래드층은 N타입 AlGaAs층이고, 상기 P타입 제 1 클래드층은 P타입 AlGaAs층이고, 상기 식각정지층은 InGaP층이고, 상기 N타입 전류 방지층은 N타입 AlGaAs층이고, 상기 제 2 클래드층은 P타입 AlGaAs층이며, 상기 P타입 캡층은 P타입 GaAs층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 N타입 전류 방지층의 두께는 500 ~ 1500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
4 4
N타입 GaAs 기판의 상부에 N타입 버퍼층, N타입 클래드층, 활성층, P타입 제 1 클래드층과 식각 정지층(Etching Stop Layer, ESL)이 순차적으로 적층된 제 1 적층 에피층을 형성하는 단계와; 상기 식각 정지층의 상부 영역 중, 소자의 광 방출면과 광 반사면에 인접되고, 상호 이격된 두 영역 각각에 N타입 전류 방지층을 형성하는 단계와; 상기 광 방출면에서 광 반사면까지 연장되도록, 상기 N타입 전류 방지층과 식각 정지층의 상부에 P타입 제 2 클래드층과 P타입 캡층을 순차적으로 적층시켜 리지형 제 2 적층 에피층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
5 4
N타입 GaAs 기판의 상부에 N타입 버퍼층, N타입 클래드층, 활성층, P타입 제 1 클래드층과 식각 정지층(Etching Stop Layer, ESL)이 순차적으로 적층된 제 1 적층 에피층을 형성하는 단계와; 상기 식각 정지층의 상부 영역 중, 소자의 광 방출면과 광 반사면에 인접되고, 상호 이격된 두 영역 각각에 N타입 전류 방지층을 형성하는 단계와; 상기 광 방출면에서 광 반사면까지 연장되도록, 상기 N타입 전류 방지층과 식각 정지층의 상부에 P타입 제 2 클래드층과 P타입 캡층을 순차적으로 적층시켜 리지형 제 2 적층 에피층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.