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기판 상에 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀 단위로 형성된 애노드 전극과; 상기 캐소드 전극 상부에서, 상기 서브픽셀 단위로 차례대로 배열된 적, 녹, 청 유기전계발광층으로 이루어진 유기전계발광층과; 상기 유기전계발광층을 덮는 기판 전면에 형성된 캐소드 전극과; 상기 청색 유기전계발광층과 캐소드 전극 사이 구간에 위치하며, 상기 청색 유기전계발광층 상부를 덮는 영역에 형성된 캐소드 전극용 전자주입층을 포함하며, 상기 캐소드 전극용 전자주입층은 상기 캐소드 전극의 일함수(work function)값과 동일하거나 또는 높은 일함수값을 가지는 무기절연 물질에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판과 애노드 전극 사이에는, 상기 서브픽셀 단위로 상기 애노드 전극과 연결되는 박막트랜지스터 소자를 추가로 포함하는 유기전계발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 소자는, 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어지고, 상기 드레인 전극과 애노드 전극이 실질적으로 연결되는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은, 칼슘(Ca) 금속물질과 알루미늄(Al) 금속물질이 차례대로 적층된 구조로 이루어지는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극용 전자주입층을 이루는 물질은 리튬 플로라이드(LiF), 바륨 플루라이드(BaF2) 중 어느 하나에서 선택되는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기전계발광층은, 상기 서브픽셀 영역별 경계부에 위치하는 기둥 형상의 뱅크에 의해 서브픽셀 단위로 분리되어 있는 유기전계발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 뱅크와 애노드 전극 사이에는, 상기 애노드 전극의 주영역을 노출시키는 오픈부를 가지는 버퍼 패턴을 추가로 포함하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극용 전자주입층은 섀도우 마스크법에 의해 형성되는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극용 전자주입층은 섀도우 마스크법에 의해 형성되는 유기전계발광 소자
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