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반도체 발광 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015027423
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요약 본 발명은 반도체 발광 기판 상면에 마스크 물질을 도포하여 마스크층을 형성하고, 형성한 마스크층을 패터닝하여 반도체 발광 기판의 발광면을 노출시킨 다음, 노출시킨 발광면 상부에 상기 반도체 발광 기판과 굴절률이 상이한 물질로 이루어진 소정 두께의 보호막을 증착하도록 함으로써 활성층에서 발생되어 외부로 방출되는 광의 세기를 원하는 바에 따라 가변적으로 조절한다. 반도체, 발광, 영역, 기판, 굴절률, 보호막
Int. CL H01L 33/10 (2014.01) H01L 33/44 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020030016084 (2003.03.14)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0941202-0000 (2010.02.01)
공개번호/일자 10-2004-0081572 (2004.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시은평구
2 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0089909-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0125771-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072932-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
9 등록결정서
Decision to grant
2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0492916-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 발광 기판을 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 단계에 따라 형성한 반도체 발광 기판 상면에 마스크 물질을 도포하여 마스크층을 형성하는 제 2 단계; 상기 제 2 단계에 따라 형성한 마스크층을 패터닝하여 반도체 발광 기판의 발광면을 노출시키는 제 3 단계; 상기 제 3 단계에 따라 노출시킨 발광면 상부에 상기 반도체 발광 기판과 굴절률이 상이한 재질의 보호막을 증착하는 제 4 단계로 이루어지는, 반도체 발광 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 발광 기판은; 레이저 발광 다이오드(LD) 또는 발광 다이오드(LED) 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 소자 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 물질은; 포토 레지스트인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.