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유기전계 발광소자와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015027431
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요약 본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 유기 전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.요약하면, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 유기발광층의 하부에 저 굴절률 광학필름을 별도로 구성함에 있어서, 상기 광학 필름은 수분을 흡착하는 성질이 있기 때문에 광학필름의 상부에 이를 완전히 덮는 유기막및 무기막을 형성한다.이와 같이 하면, 상기 저 굴절률(대략 1.2 이하) 광학필름에 의해 발광층에서 발광된 빛이 소실되지 않고 대부분이 외부로 출사할 수 있게 되어 고화질을 구현할 수 있고, 상기 광학필름이 유기막및 무기막에 의해 외부로부터 완전히 차단된 형상이므로 이로 인해 완전한 수분흡수를 차단할 수 있어, 유기전계 발광소자의 신뢰성을 높일 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020030014285 (2003.03.07)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0522252-0000 (2005.10.11)
공개번호/일자 10-2004-0079478 (2004.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20051018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.03.07)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재용 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0080651-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0007261-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0217120-15
5 의견서
Written Opinion
2005.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0374275-29
6 대리인변경신고서
Agent change Notification
2005.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0374276-75
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0374274-84
8 등록결정서
Decision to grant
2005.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0505018-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
1 1
다수의 화소영역과, 화소영역의 주변으로 씰패턴 영역이 정의된 기판과; 상기 씰패턴 영역과 화소영역에 대응하는 기판 상에 구성된 저굴절률 광학필름과; 상기 저굴절률 광학필름의 상부에 위치하고, 저굴절률 광학필름이 외부로부터 차단되도록 감싸는 형상으로 구성된 유기막과; 상기 유기막이 형성된 각 화소영역 마다 구성된 구동 소자와 스위칭 소자와; 상기 구동 소자와 접촉하면서 상기 화소영역에 구성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층의 상부에 구성된 제 2 전극과; 상기 씰패턴 영역에 구성된 씰패턴; 을 포함하는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 구동소자와 스위칭 소자로는 액티브층과 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 사용하는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유기막과 상기 제 1 전극 사이에 실리콘 절연막(무기막)이 더욱 구성된 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자
5 5
기판 상에 다수의 화소영역과, 화소영역의 주변으로 씰패턴 영역을 정의하는 단계와; 상기 씰패턴 영역과 화소영역에 대응하는 기판 상에 저굴절률 광학필름을 형성하는 단계와; 상기 저굴절률 광학필름의 상부에 위치하고, 저굴절률 광학필름을 외부로부터 차단하도록 구성된 유기막을 형성하는 단계와; 상기 유기막이 형성된 각 화소영역 마다 구동 소자와 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 구동 소자와 접촉하면서, 상기 화소영역에 위치하도록 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층의 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 씰패턴 영역에 대응하는 기판 상에 씰패턴을 형성하는 단계 를 포함하는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)인 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같이 일 함수가 높은 투명 도전성 금속으로 구성된 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나 또는 알루미늄을 포함한 이증층(LiF/Al)으로 구성된 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 구동 소자와 스위칭 소자로는 액티브층과 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 사용하는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 유기막과 상기 제 1 전극 사이에 실리콘 절연막이 더욱 구성된 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
11 11
다수의 화소영역과, 화소영역의 주변으로 씰패턴 영역이 정의된 기판과; 상기 씰패턴 영역과 화소영역에 대응하는 기판 상에 구성된 저굴절률 광학필름과; 상기 저굴절률 광학필름의 상부에, 저굴절률 광학필름이 외부로부터 차단되도록 구성된 유기막과; 상기 유기막의 상부에 구성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층의 상부에 구성된 제 2 전극과; 상기 씰패턴 영역에 구성된 씰패턴; 을 포함하는 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)인 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 유기막과 상기 제 1 전극 사이에 실리콘 절연막이 더욱 구성된 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자
14 14
기판 상에 다수의 화소영역과, 화소영역의 주변으로 씰패턴 영역을 정의하는 단계와; 상기 씰패턴 영역과 화소영역에 대응하는 기판 상에 저굴절률 광학필름을 형성하는 단계와; 상기 저굴절률 광학필름의 상부에, 저굴절률 광학필름이 외부로 부처 차단되도록 구성된 유기막을 형성하는 단계와; 상기 유기막의 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층의 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 씰패턴 영역에 대응하는 기판 상에 씰패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)인 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같이 일 함수가 높은 투명 도전성 금속으로 구성된 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나 또는 알루미늄을 포함한 이증층(LiF/Al)으로 구성된 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 유기막과 제 1 전극 사이에 실리콘 절연막이 더욱 구성된 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자
19 18
제 14 항에 있어서, 상기 유기막과 제 1 전극 사이에 실리콘 절연막이 더욱 구성된 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.