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이온을 발생시켜 일 방향으로 가속하는 챔버형의 이온도핑장치로서,상기 챔버내 최상부에 구성되어 기체를 플라즈마 상태로 여기시키는 하나 이상의 필라멘트와, 상기 하나 이상의 필라멘트 하부에 구성되며 상기 일 방향에 수직하게 자계를 형성하여 상기 플라즈마 중 선택된 이온에 대한 균일성을 향상시키는 다수의 전자석과, 상기 다수의 전자석 하부에 구성되며 상기 이온이 통과하도록 다수의 관통홀이 형성되어 일 방향으로 가속시키는 하나 이상의 전극을 포함하는 이온발생소스와;상기 챔버 외부에 구성되며, 상기 다수의 전자석에 전력을 공급하는 전원공급장치와;상기 챔버 외부에 구성되며, 상기 다수의 전자석으로 공급되는 전력을 각각 조절하여 상기 다수의 전자석에 의해 생성되는 자계의 세기를 조절하는 제어부를 포함하는 이온도핑장치
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청구항 1에 있어서,상기 이온발생소스는 챔버 상부에서 하부 방향으로 상기 이온을 가속화하고, 상기 챔버 최하단에는 상기 이온이 도핑될 대상물이 존재되는 이온도핑장치
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청구항 2에 있어서, 상기 대상물은, 상면에 순수반도체층이 형성된 평판표시장치용 투명절연기판인 이온도핑장치
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 전자석은, 상기 필라멘트와 상기 전극 사이에서 동일높이를 가지도록, 상기 이온의 이동방향에 수직하게 둘러 배열되는 이온도핑장치
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청구항 1에 있어서, 상기 기체는 붕소(B) 또는 인(P) 중 선택된 하나를 포함하는 이온도핑장치
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청구항 1에 있어서, 상기 기체는 붕소(B) 또는 인(P) 중 선택된 하나를 포함하는 이온도핑장치
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