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박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 및 그제조 방법

  • 기술번호 : KST2015027482
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요약 본 발명은 박막 용적 탄성파 공진기(TFBAR)를 이용한 대역 통과 필터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 종래 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 및 그 제조 방법은 동일 맴브레인층이 허용하는 영역 내에 제한된 수의 박막 용적 탄성파 공진기들을 실장하기 때문에 각 공진기들 간의 간섭이 심하여 성능이 열화되고, 단일 맴브레인 층에 형성할 수 있는 공진기들의 수가 제한되어 복합기능 필터를 동일 맴브레인 층에 구성할 수 없는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 구성될 대역 통과 필터의 회로에 따라 형성된 다수의 박막 용정 탄성파 공진기; 상기 박막 용적 탄성파 공진기 하부에서 상기 박막 용적 탄성파 공진기들을 지지하는 멤브레인층; 상기 멤브레인층 하부에서 상기 박막 용적 탄성파 공진기들이 위치된 영역 사이를 가로지르도록 격자 형태로 구성된 간섭 격리 프레임; 및 상기 박막 용적 탄성파 공진기들이 형성된 멤브레인층 영역 및 상기 간섭 격리 프레임을 부유시키기 위해 일부 영역이 제거된 기판을 포함하며, 상기 간섭 격리 프레임은, 상기 기판의 일부를 붕소(boron) 이온으로 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
Int. CL H03H 9/64 (2006.01)
CPC H03H 9/64(2013.01) H03H 9/64(2013.01) H03H 9/64(2013.01) H03H 9/64(2013.01)
출원번호/일자 1020030016186 (2003.03.14)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0906679-0000 (2009.07.01)
공개번호/일자 10-2004-0081639 (2004.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20090708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌민 대한민국 경기도성남시분당구
2 이영주 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0090326-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0149046-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051633-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0031098-39
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0104758-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0104760-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
11 등록결정서
Decision to grant
2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0183263-42
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구성될 대역 통과 필터의 회로에 따라 형성된 다수의 박막 용정 탄성파 공진기; 상기 박막 용적 탄성파 공진기 하부에서 상기 박막 용적 탄성파 공진기들을 지지하는 멤브레인층; 상기 멤브레인층 하부에서 상기 박막 용적 탄성파 공진기들이 위치된 영역 사이를 가로지르도록 격자 형태로 구성된 간섭 격리 프레임; 및 상기 박막 용적 탄성파 공진기들이 형성된 멤브레인층 영역 및 상기 간섭 격리 프레임을 부유시키기 위해 일부 영역이 제거된 기판을 포함하며, 상기 간섭 격리 프레임은, 상기 기판의 일부를 붕소(boron) 이온으로 도핑하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 형성되는 박막 용적 탄성파 공진기는 7개 이상이며, 동일 맴브레인 상에 송신 대역 통과 필터와 수신 대역 통과 필터 구조를 동시에 구성 하는 것을 특징으로 하는 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터
4 4
기판 상의 일부 영역을 사진 식각 방법으로 식각하여 간섭 경리 영역 프레임용 패턴을 형성하는 단계; 상기 형성된 패턴에 이종 물질을 도핑하여 식각 정지물질로 이루어진 간섭 경리 영역 프레임을 상기 기판 내부에 형성하는 단계; 상기 간섭 경리 영역 프레임이 형성된 기판의 상부 및 하부에 저응력 박막을 형성하여 멤브레인층을 형성하는 단계; 상기 기판 상부에 형성된 멤브레인층 상에 하부 전극, 기전물질 및, 상부 전극을 순차적으로 형성하여 박막 용적 탄성파 공진기를 형성하는 단계; 및 상기 기판 하부의 멤브레인층의 일부와 기판의 일부를 식각하여 박막 용적 탄성파 공진기 형성 영역의 멤브레인층과 간섭 경리 영역 프레임을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 제조 방법
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제 4항에 있어서, 상기 간섭 경리 영역 프레임을 상기 기판 내부에 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 형성된 프레임용 패턴에 붕소를 도핑하여 붕소 식각정지층(p++)을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 제조 방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.