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기판 상면에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하는 제 1 단계;
상기 p-질화물층부터 수직 방향으로 상기 n-질화물층의 일부까지 식각하여 n-질화물층의 일부를 노출시키는 제 2 단계;
상기 식각하지 않고 남아 있는 p-질화물층의 상면에 투명전극을 형성하는 제 3 단계;
상기 투명전극의 상면 일부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 노출된 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 4 단계;
상기 p-패드 전극이 형성되지 않은 투명전극의 표면과, 외부에 노출된 p-질화물층, 활성층, 그리고, n-패드 전극이 형성되지 않은 n-질화물층 각각의 표면에 반사절연막을 형성하는 제 5 단계로 이루어지는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계는;
상기 반사절연막을 다층(multi-layer)으로 형성하는 것을 특징으로, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반사절연막은;
상기 p-패드 전극이 형성되지 않은 투명전극의 표면과, 외부에 노출된 p-질화물층, 활성층, 그리고, n-패드 전극이 형성되지 않은 n-질화물층 각각의 표면에 HR 코팅(High Reflective coating)용 절연체를 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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4
제 3 항에 있어서,
상기 HR 코팅(High Reflective coating)용 절연체는;
TiO2, SiO2, Al2O3 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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5
기판 상면에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층이 순차적으로 형성되고;
상기 p-질화물층부터 수직 방향으로 상기 n-질화물층의 일부까지 식각하여 n-질화물층의 일부를 노출시키고;
상기 식각하지 않고 남아 있는 p-질화물층의 상면에 투명전극이 형성되고;
상기 투명전극의 상면 일부와 상기 노출된 n-질화물층의 상면에 각기 p패드 전극과 n패드전극이 형성되고;
상기 p-패드 전극이 형성되지 않은 투명전극의 표면과, 외부에 노출된 p-질화물층, 활성층, 그리고, n-패드 전극이 형성되지 않은 n-질화물층 각각의 표면에 반사절연막이 형성되어 이루어지는, 레이저 발광 다이오드
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제 5 항에 있어서, 상기 반사절연막은;
다층(multi-layer)으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드
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