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반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015028261
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요약 발광 특성 및 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명의 반도체 발광소자는 광투과성 수지층 내부에 발광소자칩으로부터 소정 거리 이격된 위치에 균일 두께를 갖는 형광체층이 형성된다. 반도체, 발광소자, 형광체층, 에폭시 수지
Int. CL H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 27/15 (2006.01.01) H01L 33/60 (2010.01.01) H01L 33/52 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01)
출원번호/일자 1020030050353 (2003.07.22)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1047764-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자 10-2005-0011324 (2005.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.23)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준석 대한민국 광주광역시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0267599-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0366930-09
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0055886-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0155947-86
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0311233-75
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0311235-66
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0420481-51
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0728681-74
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0728680-28
16 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0297694-50
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 애노드전극 및 복수의 캐소드전극으로 이루어지는 금속단자부; 서로 다른 파장에 상응하는 광을 발광하고, 반사컵 내에 실장되어 와이어 본딩을 통해 상기 금속단자부에 각각 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자칩들; 및 상기 복수의 발광소자칩들을 밀봉하여 형성되는 광투과성 수지층을 포함하고, 상기 광투과성 수지층 내부에 상기 발광소자칩으로부터 발생된 광의 파장을 변화시키는 형광체층을 포함하는 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 발광소자칩으로부터 발광된 광을 백색광으로 변환시킬 수 있는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
3 3
삭제
4 4
복수의 애노드전극 및 복수의 캐소드전극으로 이루어지는 금속단자부; 서로 다른 파장에 상응하는 광을 발광하고, 상기 복수의 전극들의 상단에 형성된 반사컵 내에 실장되며, 와이어 본딩을 이용하여 상기 애노드전극 및 상기 캐소드전극에 각각 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자칩들; 및 상기 복수의 발광소자칩들을 밀봉하여 형성되는 광투과성 수지층을 포함하고, 상기 광투과성 수지층 내부에 상기 발광소자칩으로부터 소정 거리 이격된 위치에 균일 두께를 갖는 형광체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 복수의 발광소자칩들로부터 발광된 광을 백색광으로 변환시킬 수 있는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
6 6
제4항에 있어서, 상기 형광체층은 복수개로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
7 7
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 광투과성 수지층은, 상기 발광소자칩을 1차 밀봉하고, 상기 1차 밀봉에 의해 마련되는 안착홈에 상기 형광체층을 형성한 다음, 상기 형광체층 상에 2차 밀봉하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
8 8
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 광투과성 수지층은, 상기 발광소자칩을 1차 밀봉하고, 상기 1차 밀봉에 의해 마련되는 제1 안착홈에 상기 복수의 형광체층들 중 제1 형광체층을 형성한 다음 상기 제1 형광체층 상에 2차 밀봉하고, 상기 2차 밀봉에 의해 마련되는 제2 안착홈에 상기 제2 형광체층을 형성한 다음 상기 제2 형광체층 상에 3차 밀봉하며, 상기 3차 밀봉에 의해 마련되는 제3 안착홈에 상기 제3 형광체층을 형성한 다음 상기 제3 형광체층 상에 4차 밀봉하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
9 9
제4항에 있어서, 상기 이격된 위치는 적어도 상기 와이어와 접촉되지 않는 위치인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
10 10
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 형광체층은 적어도 상기 반사컵을 포함하는 면적으로서 판상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
11 11
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 광투과성 수지층의 내부로 형광체액을 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
12 12
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 광투과성 수지층의 내부로 미리 가공된 필름 형상을 삽입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
13 13
애노드전극 및 캐소드전극을 포함하는 리드프레임; 상기 애노드전극 및 캐소드전극과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자칩들; 및 상기 복수의 발광소자칩들을 밀봉하여 형성되는 광투과성 수지층을 포함하고, 상기 광투과성 수지층 내부에 상기 복수의 발광소자칩들로부터 이격된 위치에 균일 두께를 갖는 형광체층을 포함하는 반도체 발광소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 복수의 발광소자칩들은 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 반도체 발광소자
15 15
제13항에 있어서, 상기 형광체층은 복수개가 이격되어 형성된 반도체 발광소자
16 16
제13항에 있어서, 상기 발광소자칩이 배치되는 반사컵이 더 포함되는 반도체 발광소자
17 17
반사컵이 형성된 금속단자부와 서로 다른 파장에 상응하는 광을 발광하고 상기 반사컵 내부에 실장되는 복수의 발광소자칩들 사이를 와이어 본딩을 이용하여 전기적으로 연결하는 단계; 상기 복수의 발광소자칩들을 밀봉하는 단계; 상기 밀봉된 발광소자칩 상에 균일 두께를 갖는 형광체층을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 형광체층을 밀봉하는 단계 를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 복수의 형광체층을 형성하기 위하여 상기 형광체층을 형성하는 단계 및 상기 형광체층을 밀봉하는 단계를 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 형광체층을 형성하기 위한 안착홈들이 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
20 20
제17항에 있어서, 상기 밀봉 재질은 동일한 광투과성 수지층이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.