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반도체 레이저 다이오드 제조방법

기술번호 : KST2015028422
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 정전 방전에 내구성이 강한 쇼트키(schottky) 다이오드를 반도체 레이저 다이오드에 접합시킴으로써, 정전 방전에 대한 레이저 다이오드의 내구성을 향상시킨 반도체 레이저 다이오드 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 재질로된 기판 상에 크래드층을 형성하는 단계; 상기 크래드층 상에 정공과 전자가 결합하여 발광하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제 1 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 크래드층 상에 크래드층을 형성하고, 이를 식각하여 릿지 형상을 갖는 제 2 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 2 크래드층 가장자리와 상기 제 1 크래드층 상에 전류차단층을 형성하고, 계속하여 캡층을 형성하는 단계; 상기 캡층 상에 Zn층을 형성하고 이를 산화시켜 ZnO층을 형성하는 단계; 및 상기 ZnO층 상에 P 메탈과 상기 반도체 기판 배면 상에 N 메탈층을 형성하는단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 레이저, 다이오드, 쇼트키, 활성층, ESD
Int. CL	H01S 3/0941 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자	1020030048991 (2003.07.18)
출원인	엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자	10-0992685-0000 (2010.11.01)
공개번호/일자	10-2005-0010108 (2005.01.27) 문서열기
공고번호/일자	(20101105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.07.17)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이광철	대한민국	광주광역시남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 중구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.07.18	수리 (Accepted)	1-1-2003-0261029-18
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2006.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2006-5066791-07
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2006.05.19	수리 (Accepted)	4-1-2006-5068944-32
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2008.07.17	수리 (Accepted)	1-1-2008-0513895-03
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.03.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2009.03.30	수리 (Accepted)	1-1-2009-0188839-55
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2009.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2009-0021951-09
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.07.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5146412-87
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.04.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0137865-18
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.05.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0303860-49
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.05.12	수리 (Accepted)	1-1-2010-0303861-95
13	등록결정서 Decision to grant	2010.09.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0414191-29
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체 재질로된 기판 상에 크래드층을 형성하는 단계; 상기 크래드층 상에 정공과 전자가 결합하여 발광하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제 1 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 크래드층 상에 크래드층을 형성하고, 상기 크래드층을 식각하여 릿지 형상을 갖는 제 2 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 2 크래드층 가장자리와 상기 제 1 크래드층 상에 전류차단층을 형성하고, 계속하여 캡층을 형성하는 단계; 상기 캡층 상에 Zn층을 형성하고 이를 산화시켜 ZnO층을 형성하는 단계; 및 상기 ZnO층 상에 P 메탈층과 상기 반도체 기판 배면 상에 N 메탈층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 ZnO층은 Zn층 증착 후 산소 분위기 상태에서 ZnO층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 ZnO층은 Zn층 증착 후 MOCVD 또는 노(furnace) 설비중 어느 하나의 설비에서 산화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 P 메탈층은 Pd 또는 Pt 계열의 금속 중 적어도 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 P 메탈층은 Au 계열의 금속을 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
6	6 반도체 재질로된 기판 상에 크래드층을 형성하는 단계; 상기 크래드층 상에 정공과 전자가 결합하여 발광하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제 1 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 크래드층 상에 크래드층을 형성하고, 상기 크래드층을 식각하여 릿지 형상을 갖는 제 2 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 2 크래드층 가장자리와 상기 제 1 크래드층 상에 전류차단층을 형성하고, 계속하여 캡층을 형성하는 단계; 상기 캡층 상에 Zn층을 형성하고, 이를 식각하여 ZnO층을 형성하는 단계; 및 상기 ZnO층의 가장자리에 절연층을 형성하고, 상기 ZnO층과 절연층 상에 P 메탈층을 형성하며, 상기 반도체 기판 배면 상에 N 메탈층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 ZnO층은 상기 제 2 크래드층의 상부에만 존재하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 ZnO층은 Zn층 증착 후 MOCVD 또는 노(furnace) 설비중 어느 하나의 설비에서 산화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 P 메탈층은 Pd 또는 Pt 계열의 금속 중 적어도 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 P 메탈층은 Au 계열의 금속을 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0992685-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030718 출원 번호 : 1020030048991 공고 연월일 : 20101105 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100917 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01S 3/0941 발명의 명칭 : 반도체 레이저 다이오드 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20181102

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	435,000 원	2010년 11월 01일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2013년 10월 07일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2014년 10월 07일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2015년 10월 05일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2016년 10월 06일	납입
제 8 년분	금 액	480,000 원	2017년 10월 11일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.07.18	수리 (Accepted)	1-1-2003-0261029-18
2	출원인정보변경(경정)신고서	2006.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2006-5066791-07
3	출원인정보변경(경정)신고서	2006.05.19	수리 (Accepted)	4-1-2006-5068944-32
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2008.07.17	수리 (Accepted)	1-1-2008-0513895-03
5	선행기술조사의뢰서	2009.03.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2009.03.30	수리 (Accepted)	1-1-2009-0188839-55
7	선행기술조사보고서	2009.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2009-0021951-09
8	출원인정보변경(경정)신고서	2009.07.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5146412-87
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
10	의견제출통지서	2010.04.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0137865-18
11	[명세서등 보정]보정서	2010.05.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0303860-49
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.05.12	수리 (Accepted)	1-1-2010-0303861-95
13	등록결정서	2010.09.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0414191-29
14	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
15	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
16	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
17	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01


기술번호	KST2015028422
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	반도체 레이저 다이오드 제조방법
기술개요	본 발명은 정전 방전에 내구성이 강한 쇼트키(schottky) 다이오드를 반도체 레이저 다이오드에 접합시킴으로써, 정전 방전에 대한 레이저 다이오드의 내구성을 향상시킨 반도체 레이저 다이오드 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 재질로된 기판 상에 크래드층을 형성하는 단계; 상기 크래드층 상에 정공과 전자가 결합하여 발광하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제 1 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 크래드층 상에 크래드층을 형성하고, 이를 식각하여 릿지 형상을 갖는 제 2 크래드층을 형성하는 단계; 상기 제 2 크래드층 가장자리와 상기 제 1 크래드층 상에 전류차단층을 형성하고, 계속하여 캡층을 형성하는 단계; 상기 캡층 상에 Zn층을 형성하고 이를 산화시켜 ZnO층을 형성하는 단계; 및 상기 ZnO층 상에 P 메탈과 상기 반도체 기판 배면 상에 N 메탈층을 형성하는단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 레이저, 다이오드, 쇼트키, 활성층, ESD
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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