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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015028441
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요약 본 발명은 발광 다이오드의 버퍼층과 질화 갈륨(GaN)층 사이에 낮은 성장 속도를 갖는 도핑되지 않은 질화 갈륨 반동체층을 형성함으로써, 광 효율을 향상시키고, 소비전력을 줄일 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 사파이어 기판 상에 배치되어 있는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 배치되어 있는 저속 성장 질화갈륨층; 상기 저속 성장 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 질화갈륨층; 상기 질화 갈륨층 상에 배치되어 있는 도핑된 질화갈륨층; 상기 도핑된 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치되어 있는 p형 질화갈륨층;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 저속 성장 질화갈륨층은 TMGa, NH3, H2 재질이고, 상기 저속 성장 질화갈륨층의 두께는 1~3000Å인 것을 특징으로 한다. 발광, 다이오드, 질화갈륨층, 저속 성장 질화갈륨층, 버퍼층
Int. CL H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020030048992 (2003.07.18)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0574541-0000 (2006.04.20)
공개번호/일자 10-2005-0010109 (2005.01.27) 문서열기
공고번호/일자 (20060427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손효근 대한민국 대전광역시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0261030-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.04.21 수리 (Accepted) 9-1-2005-0023923-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0351946-10
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0536531-79
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0600707-43
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0685204-15
8 의견서
Written Opinion
2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0763990-70
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0763989-23
10 등록결정서
Decision to grant
2006.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0162626-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 배치되어 있는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 배치되어 있는 저속 성장 질화갈륨층; 상기 저속 성장 질화 갈륨층 상에 배치되어 있는 질화갈륨층; 상기 질화 갈륨층 상에 배치되어 있는 n형 질화갈륨층; 상기 n형 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치되어 있는 p형 질화갈륨층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 저속 성장 질화갈륨층은 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 저속 성장 질화갈륨층의 두께는 1~3000Å으로 상기 질화갈륨층의 성장속도보다 저속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 저속 성장 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 저속 성장 질화갈륨층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 질화갈륨층 상에 n형 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 저속 성장 질화갈륨층을 성장하는 온도는 1000℃~1500℃인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 저속 성장 질화갈륨층의 두께는 1~3000Å으로 상기 질화갈륨층의 성장속도보다 저속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 저속 성장 질화갈륨층은 0
8 7
제 4 항에 있어서, 상기 저속 성장 질화갈륨층은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.