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반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015028457
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요약 정공농도를 높여 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 순차적으로 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성한 다음, 암모니아 및 질산을 이용하여 상기 제2 반도체층 내부에 다량으로 존재하는 수소들을 제거함으로써, Mg-H 결합체로부터 H가 제거되어 그 만큼 전자와의 재결합에 참여하는 Mg 정공들의 개수를 증가시켜 발광효율이 향상되게 된다. 반도체 발광소자, P형 반도체층, 수소, 암모니아, 질산, 열적분해
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020030048299 (2003.07.15)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1028229-0000 (2011.04.01)
공개번호/일자 10-2005-0009049 (2005.01.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양승현 대한민국 광주광역시광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2003-0257934-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0504571-15
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011081-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0172506-19
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0326488-40
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0326487-05
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0441982-50
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0712562-20
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0712563-76
16 등록결정서
Decision to grant
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0116575-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 순차적으로 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및 암모니아 및 질산을 이용하여 상기 제2 반도체층의 수소들을 제거하는 단계 를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 수소들을 제거하는 단계는, 상기 암모니아 및 상기 질산을 각각 열적분해하는 단계; 및 상기 열적분해된 기체 가스들이 상기 제2 반도체층 내부에 존재하는 수소들과 반응되도록 열처리하는 단계 를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 열적분해된 기체 가스들은 H2, N2, O2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 암모니아 및 상기 질산은 500~1000℃의 온도범위에서 상기 기체 가스들로 열적분해되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 열적분해된 기체 가스들은 500~800℃의 온도범위에서 열처리되어 상기 제2 반도체층 내부에 존재하는 수소들과 반응되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 기체 가스들은 하기의 화학반응식에 의해 열처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 열적분해와 열처리는 하나의 공정 장치에 의해 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
8 8
기판 상에 순차적으로 형성되는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층으로 이루어지는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 제2 반도체층은 내부의 수소들이 암모니아 및 질산을 이용한 열처리에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 암모니아 및 질산은 열처리 전에 500~1000℃의 온도범위에서 H2, N2, O2로 이루어지는 기체 가스들로 열적분해되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 기체 가스들은 500~800℃ 온도범위에서 열처리되어 상기 제2 반도체층 내부에 존재하는 수소들과 반응되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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