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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015028505
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, n-질화물 기판의 하면 일부에 와이어 본딩용의 n-패드 전극을 형성하고, 투명전극 상부에는 활성층에서 방출된 광을 반사시키는 반사막을 형성하여, 종래와 같이, n-패드 전극을 형성하기 위해 투명전극부터 n-질화물층의 일부까지 메사(mesa)식각함으로써 그 식각영역만큼 제거되는 발광 면적의 축소를 방지할 수 있고, 나아가 이러한 발광 면적의 축소로 인한 광 손실을 최대한으로 줄일 수 있게 된다. 반도체, 레이저, 다이오드, 반사막, 발광, 면적
Int. CL H01S 5/10 (2006.01)
CPC H01S 5/2216(2013.01) H01S 5/2216(2013.01) H01S 5/2216(2013.01) H01S 5/2216(2013.01)
출원번호/일자 1020030056001 (2003.08.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1013621-0000 (2011.01.31)
공개번호/일자 10-2005-0017346 (2005.02.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재완 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0298580-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0430835-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0021961-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0096600-31
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0225366-98
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0225360-14
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0400340-64
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0670460-08
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0670459-51
15 등록결정서
Decision to grant
2011.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0000013-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 기판 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층, 투명전극을 순차적으로 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 단계의 투명 전극 상부에 반사용 금속을 증착하여 반사막을 형성하는 제 2 단계; 상기 제 1 단계의 질화물 기판 일부를 식각하여 제거하는 제 3 단계; 상기 제 2 단계에 따라 형성한 반사막 일면에 p-패드 전극을, 상기 제 3 단계에 따라 일부가 식각된 질화물 기판의 일면에 n-패드 전극을 각기 형성하는 제 4 단계로 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반사용 금속은; Ag, Al, Au로 이루어진 군(郡) 중에서 선택된 일종인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
3 3
질화물 패턴 상에 배치된 순차적으로 배치된 n-질화물층, 활성층 및 p-질화물층, 투명전극; 상기 투명 전극 상부에 형성된 반사용 금속; 상기 반사용 금속 일면에 형성된 p-패드 전극; 및 상기 질화물 기판의 일면에 배치된 n-패드 전극을 구비하며, 상기 질화물 패턴은 상기 n-질화물층보다 작은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.