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1
기판;
상기 기판 상부에 순차적으로 형성되는 제1 클래드층 및 활성층;
상기 활성층 상부의 중앙 부위에 형성되는 메인 릿지부와 상기 메인 릿지부와 일정 거리 이격되는 부위에 나란하게 형성되는 적어도 하나 이상의 보조 릿지부를 구성하는 제2 클래드층;
상기 메인 릿지부를 제외한 활성층 및 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부 상부에 형성되는 전류 차단층; 및
상기 전류 차단층 및 상기 메인 릿지부 상부에 형성되는 접촉층
을 포함하는 반도체 레이저소자
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2
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 클래드층 사이에 형성되는 버퍼층
을 더 포함하는 반도체 레이저소자
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| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 메인 릿지부 및 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부는 통전용이층 및 캡층
을 더 포함하여 구성되는 반도체 레이저소자
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4
제1항에 있어서, 상기 활성층 상부에는 제3 클래드층 및 식각 저지층
을 더 포함하는 반도체 레이저소자
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5
기판;
상기 기판 상부에 순차적으로 형성되는 버퍼층, 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층 및 식각 저지층;
상기 식각 저지층 상부의 중앙 부위에 형성되는 메인 릿지부와 상기 메인 릿지부와 일정 거리 이격되는 부위에 나란하게 형성되는 적어도 하나 이상의 보조 릿지부를 구성하는 제3 클래드층, 통전용이층 및 캡층;
상기 메인 릿지부를 제외한 식각 저지층 및 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부 상부에 형성되는 전류 차단층; 및
상기 전류 차단층 및 상기 메인 릿지부 상부에 형성되는 접촉층
을 포함하는 반도체 레이저소자
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6
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 메인 릿지부 상부에 형성되는 접촉층이 상기 전류 차단층 상부에 형성되는 접촉층보다 더 낮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자
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7
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 메인 릿지부와 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부의 폭은 상이하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자
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8
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 메인 릿지부와 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부의 폭은 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자
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| 9 |
9
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 접촉층 및 상기 기판에 제1 전극부 및 제2 전극부를 더 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자
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10
기판 상부에 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층 및 통전용이층을 순차적으로 형성하는 제1 단계;
상기 통전용이층 상부에 메인 릿지부를 형성하기 위한 제1 마스크 패턴과 적어도 하나 이상의 보조 릿지부를 형성하기 위한 제2 마스크 패턴을 형성하는 제2 단계;
상기 제1 및 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 통전용이층 및 제2 클래드층을 대상으로 선택적으로 식각하여 메인 릿지부와 적어도 하나 이상의 보조 릿지부를 형성하는 제3 단계;
상기 제2 마스크 패턴을 제거한 후, 상기 제1 마스크 패턴을 결정성장 방지 마스크로 사용하여 상기 메인 릿지부를 제외한 활성층 및 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부 상부에 전류 차단층을 형성하는 제4 단계; 및
상기 제1 마스크 패턴을 제거한 후, 상기 전류 차단층 및 상기 메인 릿지부 상부에 접촉층을 형성하는 제5 단계
를 포함하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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11
제10항에 있어서,
상기 제1 단계에 있어서 상기 기판과 상기 제1 클래드층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계
를 더 포함하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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12
제10항에 있어서,
상기 제1 단계에 있어서 상기 제2 클래드층의 식각으로부터 상기 활성층을 보호하기 위해 상기 활성층 상부에 식각 저지층을 형성하는 단계
를 더 포함하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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13
제10항에 있어서, 상기 메인 릿지부 상부에 형성되는 접촉층이 상기 전류 차단층 상부에 형성되는 접촉층보다 더 낮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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14
제10항에 있어서, 상기 메인 릿지부는 상기 활성층 상부의 중앙 부위에 형성되고, 상기 메인 릿지부와 일정 거리 이격되는 부위에 나란하게 상기 적어도 하나 이사의 보조 릿지부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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15
제10항에 있어서, 상기 메인 릿지부 및 상기 적어도 하나 이상의 보조 릿지부에 캡층을 더 포함하여 식각에 의해 릿지형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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16
제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴은 1회의 공정으로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 반도체 레이저소자의 제조방법
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