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반사홀이 형성되어 있으며, 상기 반사홀에 발광 다이오드와 반사부가 형성된 서브 마운트;상기 서브 마운트를 지지하는 리드 프레임;상기 발광 다이오드와 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 연결 수단;상기 리드 프레임을 지지하는 기판;상기 기판의 가장자리 둘레를 따라 배치되어 있는 월; 및상기 월 내부에 봉입되어 있는 몰드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서, 상기 몰드부는 제 1 몰드부와 제 2 몰드부의 이중층으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 몰드부는 상기 서브 마운트의 반사홀 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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4
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 몰드부는 상기 월 내부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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5
제 1 항에 있어서, 상기 몰드부에는 상기 발광 다이오드에서 발생하는 광파장을 흡수하여 다른파장의 광을 내기 위한 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 몰드부 또는 제 2 몰드부에는 상기 발광 다이오드의 파장을 흡수하여 다른 파장을 내기 위한 형광체가 적어도 어느 하나 포함된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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7 |
7
제 2 항에 있어서,상기 제 1 몰드부와 제 2 몰드부는 실리콘계 수지 또는 에폭시 수지 중 어느 하나를 선택하여 몰딩된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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8
제 2 항에 있어서,상기 제 1 몰드부와 제 2 몰드부는 실리콘계 수지 또는 에폭시 수지 중 각각 서로 다른 어느 하나를 선택하여 몰딩된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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9
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 기판은 고분자 폴리머층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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10
제 2 항에 있어서,상기 몰드부의 계면 구조는 오목형 또는 요철형 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 반사부의 구조는 Ag/Cr/Au 또는 Ni/Ag/Cr/Au로 구성된 다층 구조중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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12
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 발광 다이오드는 와이어 본딩에 의하여 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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13
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 플립칩 본딩에 의하여 상기 반사부와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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14
제 13 항에 있어서, 상기 반사부와 상기 리드 프레임은 와이어 본딩에 의하여 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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15
제 13 항에 있어서,상기 반사부와 상기 리드 프레임은 상기 서브 마운트에 형성된 비아홀을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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발광 다이오드를 본딩하기 위하여 서브 마운트에 반사홀을 식각하여 형성하는 단계;상기 식각된 반사홀에 반사판을 형성하는 단계;상기 발광 다이오드를 상기 반사판 상에 본딩하는 단계;상기 발광 다이오드가 본딩된 서브 마운트를 기판에 형성되어 있는 리드 프레임에 실장하는 단계;상기 발광 다이오드와 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 단계;상기 서브 마운트를 몰딩시키는 몰드부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 몰드부는 제 1 몰드부와 제 2 몰브부로 형성되며, 상기 제 1 몰드부는 상기 서브 마운트의 반사홀에 몰딩액을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 몰드부를 형성함에 있어, 웨이퍼 단위로 몰딩액을 토출하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 몰드부는 제 1 몰드부와 제 2 몰브부로 형성되며, 상기 제 1 몰드부는 실리콘 수지와 형광체가 혼합된 몰딩액으로 형성하고, 제 2 몰드부는 에폭시 수지의 몰딩액으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 서브 마운트의 반사판은 Ag 금속을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 서브 마운트의 반사판은 Ag 금속을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
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