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반도체 소자의 스크라이빙 방법

  • 기술번호 : KST2015028685
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요약 본 발명은 반도체 소자의 스크라이빙 방법에 관한 것으로서, 스크라이빙 공정시, 마지막으로 힘이 전달되는 면 전체를, 균일하게 평탄화하여, 그 면에 전달된 힘을 여러 방향으로 분산시키도록 함으로써, 종래와 같이, 스크라이빙 공정시 돌출부에 힘이 집중됨으로써 발생되는 돌출부의 크랙(crack)이나 깨어짐을 방지할 수 있도록 하고, 더불어 스크라이빙 공정시 발생되는 방향 왜곡을 최소한으로 줄일 수 있도록 함으로써 스크라이빙 공정 후에 평탄한 형상의 미러(Mirror)면을 얻을 수 있게 된다. 반도체, 소자, 스크라이빙, 평탄, 힘, 분산, 돌출
Int. CL H01L 21/301 (2006.01)
CPC H01L 21/78(2013.01)
출원번호/일자 1020030055629 (2003.08.12)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0482514-0000 (2005.04.01)
공개번호/일자 10-2005-0017982 (2005.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20050414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2003-0296614-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 등록결정서
Decision to grant
2005.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0144376-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
돌출부가 형성된 반도체 소자의 일면에 상기 돌출부의 상면과 동일한 높이의 평탄화용 구조체를 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 단계의 돌출부와 대응되는 반도체 소자의 이면에 반도체 단위 소자로 분리하기 위한 스크라이빙 라인과 일치되도록 홈을 형성하는 제 2 단계; 상기 제 2 단계에서 형성된 홈을 따라 스크라이빙시키는 제 3 단계로 이루어지는, 반도체 소자의 스크라이빙 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는; 돌출부가 형성된 반도체 웨이퍼의 일면에 상기 돌출부의 상면과 동일한 높이로 절연체를 증착하여 평탄화용 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자의 스크라이빙 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 평탄화용 구조체는; 굴절율이 상이한 절연체를 이용해 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자의 스크라이빙 방법
4 4
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 절연체는; Si3N4, Si02, TiO2로 이루어진 군(郡) 중에서 선택된 일종인 것을 특징으로 하는, 반도체 소자의 스크라이빙 방법
5 4
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 절연체는; Si3N4, Si02, TiO2로 이루어진 군(郡) 중에서 선택된 일종인 것을 특징으로 하는, 반도체 소자의 스크라이빙 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.