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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015028841
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요약 본 발명은 발광 다이오드의 P 전극과 접촉하는 활성층 상부의 질화 갈륨층을 전도도가 우수한 갈륨 비소층(GaAs)으로 바꿈으로써 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판 위; 상기 기판 위에 형성된 N형 질화 갈륨층; 상기 질화갈륨층위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 P형 질화갈륨층; 상기 P형 질화갈륨층 위에 형성된 비소를 포함하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 P 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 버퍼층은 P형 갈륨비소(GaAs)층이고, 상기 버퍼층은 P형 갈륨비소층과 P형 질화갈륨비소(GaNAs)층인 것을 특징으로 한다. 갈륨비소, 접촉, P 전극, 저항, 이중층
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020030060896 (2003.09.01)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0986464-0000 (2010.10.01)
공개번호/일자 10-2005-0023643 (2005.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성철 대한민국 광주광역시광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-0327020-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0623089-11
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011108-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0212315-12
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0420742-26
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0420743-72
13 등록결정서
Decision to grant
2010.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0358373-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형 질화갈륨층; P형 질화갈륨층; 상기 N형 질화갈륨층과 상기 P형 질화갈륨층 사이에 활성층; 상기 P형 질화갈륨층 상에 형성된 P형 질화갈륨비소(GaNAs)층 및 상기 P형 질화갈륨비소층 상에 형성된 P형 갈륨비소(GaAs)층을 포함하는 버퍼층; 및 상기 P형 갈륨비소층 상에 형성된 P 전극을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 P형 갈륨비소층은 상기 P 전극에 접촉된 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 P형 갈륨비소층은 상기 P형 질화갈륨비소층에 접촉된 발광 다이오드
4 4
N형 질화 갈륨층을 형성하는 단계; 상기 N형 질화 갈륨층 상에 광을 발생시키는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 P형 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및 상기 P형 질화갈륨층 상에 P형 질화갈륨비소(GaNAs)층을 형성하고, 상기 P형 질화갈륨비소층 위에 갈륨비소층을 형성하여 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 갈륨비소층 상에 P 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.