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발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015028854
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드의 전극 영역에 부착되는 P 금속층을 복수개로 분획 함으로써, 광을 발생시키는 활성층에 일정한 전압을 유지하여 광 편중 현상을 방지할 수 있는 발광 다이오드를 개시한다. 개시된 본 발명은 사파이어 기판 상에 N형 질화 갈륨층, 활성층, P형 질화갈륨층, P 전극 및 N 전극을 포함하는 발광 다이오드에 있어서, 상기 발광 다이오드의 상부층에 복수개의 금속층이 배치되어 있고, 상기 금속층은 상기 P 전극과 전기적으로 연결시키기 위한 복수개의 연결 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 발광 다이오드의 N 전극은 상기 발광 다이오드의 상부 가장자리 둘레를 따라 배치되어 있고, 상기 연결 수단은 금속 필름이며, 상기 금속 필름은 서로 다른 저항을 갖도록 폭 또는 길이가 서로 다른 구조로 되어 있는 것을 특징으로 한다. 발광 다이오드, P 전극, N 전극, 활성층, 분획
Int. CL H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020030060897 (2003.09.01)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0525551-0000 (2005.10.25)
공개번호/일자 10-2005-0022459 (2005.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20051031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.01)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 광주광역시광산구
2 이성재 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-0327021-80
2 등록결정서
Decision to grant		 2005.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0510158-90
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 N형 질화 갈륨층, 활성층, P형 질화갈륨층, P 전극 및 N 전극을 포함하는 발광 다이오드에 있어서, 상기 발광 다이오드의 상부층에 복수개의 금속층이 배치되어 있고, 상기 금속층은 상기 P 전극과 전기적으로 연결시키기 위한 복수개의 연결 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 N 전극은 상기 발광 다이오드의 상부 가장자리 둘레를 따라 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 연결 수단은 금속 필름인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 금속 필름은 서로 다른 저항을 갖도록 폭 또는 길이가 서로 다른 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 금속층과 연결 수단이 전기적으로 연결되는 상기 금속층의 가장자리의 두께는 상기 P 전극의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 금속층은 상기 N 전극이 배치되어 있는 발광 다이오드의 상부 가장자리를 따라 일정한 거리를 두고 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 금속층은 서로 대향되도록 한 쌍을 이루는 금속층이 적어도 1개 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 금속층은 서로 대향되도록 한 쌍을 이루는 금속층이 적어도 1개 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101047680 KR 대한민국 FAMILY
2 US08134172 US 미국 FAMILY
3 US20070023771 US 미국 FAMILY
4 WO2005022656 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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