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유기 발광 소자의 보호막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015028954
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 소자 상에 화학기상증착, 스퍼터링, 이온빔 증착법 또는 전자빔 증착법을 이용하여 무기물 버퍼층을 증착하는 단계, 무기물 버퍼층 상에 원자층 증착법으로 20 내지 100℃ 미만의 온도에서 무기 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법을 제공한다. 상술한 구성을 통하여, 원자층 증착법을 이용하여 저온에서 박막을 성장시 사용가능한 전구체로부터 유기발광소자가 손상받는 것을 피할 수 있어 소자의 수명을 향상시킬 수 있고, 공정 시간도 단축하여 대량 생산에 적용가능하게 된다. 유기발광소자, 원자층 증착법, 무기 절연막
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/0001(2013.01) H01L 51/0001(2013.01) H01L 51/0001(2013.01) H01L 51/0001(2013.01) H01L 51/0001(2013.01)
출원번호/일자 1020030059269 (2003.08.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0569607-0000 (2006.04.04)
공개번호/일자 10-2005-0021152 (2005.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시유성구
2 황치선 대한민국 대전광역시대덕구
3 추혜용 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0316550-63
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2003.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0406070-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0034675-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0476341-51
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0677844-72
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0766522-41
8 의견서
Written Opinion		 2005.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0766553-56
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0189742-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 발광 소자의 보호막 형성 방법에 있어서, 상기 유기 발광 소자 상에 화학기상증착, 스퍼터링, 이온빔 증착법 또는 전자빔 증착법을 이용하여 무기물 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 무기물 버퍼층 상에 원자층 증착법으로 무기 절연막을 형성하되, 상기 무기 절연막의 형성은 이를 구성하는 원소를 포함하는 전구체들의 표면화학반응을 이용하여 20 내지 100℃ 미만의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
2 2
기판 전체 또는 일면에 화학기상증착, 스퍼터링, 이온빔 증착법 또는 전자빔 증착법을 이용하여 무기물 버퍼층을 증착하는 단계; 상기 기판 전체 상에 원자층 증착법으로 무기 절연막을 형성하되, 상기 무기 절연막의 형성은 이를 구성하는 원소를 포함하는 전구체들의 표면화학반응을 이용하여 20 내지 100℃의 온도에서 증착하는 단계; 및 상기 무기 절연막 상에 유기 발광 소자를 제조하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 발광 소자와 상기 무기물 버퍼층 사이에는 유기절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 1 내지 5 ㎛ 두께로 증착된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 TCVDPF박막, 파릴렌, 테프론 또는 폴리 아크릴레이트 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기 절연막은 15 내지 50nm 두께로 형성하고, 상기 무기물 버퍼층은 100 내지 200nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기 절연막 상에 금속막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
8 8
제 1 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기 절연막의 형성은 동일막 또는 이중막을 적어도 2가지 종류의 원자층 증착법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
9 9
제 1 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기물 버퍼층은 Al2O3, AlON, AlN, SiO2, Si3N4, SiON, MgO 박막 또는 이들 2개 이상의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
10 10
제 1 또는 제 2항에 있어서, 상기 무기 절연막은 알루미늄옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 알루미늄 옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 중 어느 하나 또는 이들 2개 이상의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
11 10
제 1 또는 제 2항에 있어서, 상기 무기 절연막은 알루미늄옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 알루미늄 옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 중 어느 하나 또는 이들 2개 이상의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.