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1
제 1, 제 2 전극이 상하 방향으로 소정 간격 이격된 제 1 전극 쌍;
제 1, 제 2 전극이 상하 방향으로 소정 간격 이격되고, 상기 제 1 전극 쌍 일측에 상기 제 1 전극 쌍과 평행하게 배열된 제 2 전극 쌍;
상기 제 1, 제 2 전극 쌍 사이의 사이에, 제 1, 제 2 전극이 좌우 방향으로 소정 간격 이격되어 배열된 제 3 전극 쌍;
상기 제 1, 제 2, 제 3 전극 쌍의 제 1 전극에 RF를 인가하는 RF 파워 소오스;
상기 제 1, 제 2, 제 3 전극 쌍의 제 2 전극을 접지시키는 접지단; 및
상기 제 1, 제 2, 제 3 전극 쌍이 배치되어, 상기 RF 파워 인가에 따라 상기 전극 쌍들의 전극 사이의 공간에 플라즈마가 발생되는 챔버를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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2
제 1항에 있어서,
상기 제 3 전극 쌍은 상기 제 1, 제 2 전극 쌍의 하측에 위치함을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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3
제 1항에 있어서,
상기 제 3 전극 쌍은 상기 제 1, 제 2 전극 쌍의 상측에 위치함을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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4
제 1항에 있어서,
상기 챔버는 상기 제 1, 제 2 전극 쌍 사이이며, 제 3 전극 쌍의 제 1, 제 2 전극 사이의 영역에 대응하여 하단부에 플라즈마 가스 배출구를 구비함을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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5
제 4항에 있어서,
상기 챔버의 플라즈마 가스 배출구 하부에, 이송장치에 의해 지지되어, 플라즈마 처리하고자 하는 기판이 위치됨을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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6
제 5항에 있어서,
상기 기판은 로봇 방식 또는 트랙 방식으로 로딩/언로딩됨을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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7
제 5항에 있어서,
상기 기판과 상기 챔버 사이의 간격은 5mm 내임을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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8
제 1항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 제 3 전극 쌍의 각 전극은 플레이트(plate)형, 또는 바(bar)형임을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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9
제 1항에 있어서,
제 1, 제 2, 제 3 전극 쌍의 모든 제 1, 제 2 전극을 냉각시키기 위한 냉각 장치를 더 포함함을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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10
제 1항에 있어서,
상기 챔버는 상기 챔버의 외부로부터 반응 가스 또는 분위기 가스를 공급받는 가스 유입구를 구비함을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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11
삭제
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12
제 1항에 있어서,
상기 RF 파워 소오스의 파형은 사각파(square wave)형, 정상파(sine wave)형 및 펄스(pulse)파형 중 어느 하나임을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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13
제 12항에 있어서,
상기 RF 파워 소오스의 파형이 펄스파형일 때, RF는 10 내지 50 KHz임을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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14
제 13항에 있어서,
상기 RF 파워 소오스에서 발생되는 파형이 사각파형 또는 정상파형일 때, RF는 13
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15
제 1항에 있어서,
상기 RF 파워 소오스의 파워는 1000 내지 5000W임을 특징으로 하는 상압 플라즈마 처리 장치
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