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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015029160
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요약 본 발명은 발광 레이저 다이오드의 릿지(ridge) 부분 중 거울면에 인접한 가장자리의 릿지 면적을 확장시킴으로써, 광 출력 밀도에 따른 COD(Catastrophic Optical Damage) 준위를 높여 신뢰성을 향상시킨 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 기판 상에 N 형 크래드층을 성장하는 단계; 상기 N 형 크래드층 상에 광을 발생시키는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 P 형 제 1 크래드층과 제 2 크래드층을 연속하여 형성하는 단계; 상기 제 2 크래드 층 상의 거울면 양측 가장자리의 폭이 크고 중심부의 폭이 얇은 마스크 패턴을 한 다음, 식각하여 양측 가장자리의 폭이 넓은 릿지를 형성하는 단계; 상기 릿지가 형성된 반도체 기판 상에 전류 차단층을 형성하는 단계; 및 상기 전류 차단층이 형성된 반도체 기판의 상부와 하부에 각각 P 전극과 N전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 레이저, 다이오드, 릿지, 고출력
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01.01) H01S 5/22 (2006.01.01) H01S 5/042 (2006.01.01)
CPC H01S 3/0941(2013.01) H01S 3/0941(2013.01) H01S 3/0941(2013.01)
출원번호/일자 1020030065147 (2003.09.19)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1028262-0000 (2011.04.01)
공개번호/일자 10-2005-0028643 (2005.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20110411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정탁 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-0347461-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0513897-94
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0021974-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0151763-99
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0271281-28
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0271280-83
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0461121-35
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0728682-19
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0728683-65
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0602647-57
17 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0003448-12
18 등록결정서
Decision to grant
2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0125163-95
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 N 형 크래드층을 성장하는 제1 단계; 상기 N 형 크래드층 상에 광을 발생시키는 활성층을 형성하는 제2 단계; 상기 활성층 상에 P 형 제 1 크래드층과 제 2 크래드층, P 캡층을 연속하여 형성하는 제3 단계; 상기 P 캡층 상에 양측 가장자리의 폭이 크고 중심부의 폭이 얇은 마스크 패턴을 한 다음, 상기 제 2 크래드층까지 식각하여 양측 가장자리의 폭이 넓은 릿지를 형성하는 제4 단계; 상기 식각된 부분에 전류 차단층을 형성하는 제5 단계; 상기 릿지 상부에 형성된 상기 마스크 패턴을 제거하는 제6 단계; 및 상기 전류 차단층 및 상기 릿지 상부와 상기 반도체 기판 하부에 각각 P 전극과 N전극을 형성하는 제7 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제3 단계에 있어서, 상기 P형 제 1 크래드층과 제 2 크래드층 사이에 에치스탑층을 형성하는 단계 및 상기 P형 제 2 크래드층과 상기 P 캡층 사이에 헤테로버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
3 3
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4 4
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.