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질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015029195
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, p-질화물 반도체층에, 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하여 투명전극을 형성함으로써, 투명전극 증착시, 금속 산화물을 좀 더 용이하게 형성하고, 또한 금속 산화물이 과도하게 발생되는 것을 억제하여 발광층으로의 전류 확산이 용이하게 이루어질 수 있도록 하여, 소자의 구동전압을 낮춰 해당 발광 소자의 수명을 증대시킬 수 있도록 한다. 질화물, 발광, 투명, 전극, 금속, 산화물
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/42 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020030067968 (2003.09.30)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0593543-0000 (2006.06.19)
공개번호/일자 10-2005-0031720 (2005.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장준호 대한민국 경기도안양시동안구
2 하준석 대한민국 서울특별시영등포구
3 최재완 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0365793-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0053189-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0421771-03
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0617291-38
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2005.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0617283-73
8 의견서
Written Opinion		 2005.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0617290-93
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0073561-37
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0115120-44
11 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0115156-87
12 의견서
Written Opinion		 2006.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0221898-44
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0221920-62
14 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0337837-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 n도핑된 질화물 반도체층, 발광층, p도핑된 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 p도핑된 질화물 반도체층부터 n도핑된 질화물 반도체층의 일부까지 수직 방향으로 메사(mesa) 식각하여 상기 n도핑된 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 식각되지 않고 남아 있는 p도핑된 질화물 반도체층의 상부에, 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하여, 투명전극을 형성하는 단계; 상기 노출시킨 n도핑된 질화물 반도체층의 상부와, 상기 형성된 투명 전극의 상부 각각에 패드용 전극을 형성하는 단계로 이루어지는, 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
2 2
기판 상부에 n도핑된 질화물 반도체층, 발광층, p도핑된 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 p도핑된 질화물 반도체층 상부에, 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하여, 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극의 상부와, 상기 기판 하부 각각에 패드용 전극을 형성하는 단계로 이루어지는, 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은; 사파이어 기판 또는 실리콘 카바이드 기판인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 산화물 생성용 금속은; Ni, Pd, Pt, Ir, Zn, Mg로 이루어진 군(郡) 중에서 선택된 어느 하나, 또는 2종 이상이 혼합된 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전류 확산용 금속은; Au인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 투명전극을 형성하는 단계는; 상기 p도핑된 질화물 반도체층 상부에, 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하면서, 이와 더불어, 질소(N2)나 산소(O2), 또는 질소(N2)와 산소(O2)가 혼합된 분위기 하에서 열처리하여, 투명 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
7 7
기판 상부에 n도핑된 질화물 반도체층, 발광층, p도핑된 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하고; 상기 p도핑된 질화물 반도체층부터 n도핑된 질화물 반도체층의 일부까지 수직 방향으로 메사(mesa) 식각하여 노출되는 n도핑된 질화물 반도체층에 n패드용 전극을 형성하고; 상기 식각되지 않고 남아 있는 p도핑된 질화물 반도체층의 상부에, 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하여, 투명전극을 형성하고; 상기 투명 전극의 상부에 p패드용 전극을 형성하여 제조한, 질화물 반도체 발광 소자
8 8
기판 상부에 n도핑된 질화물 반도체층, 발광층, p도핑된 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하고; 상기 p도핑된 질화물 반도체층 상부에 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하여, 투명전극을 형성하고; 상기 투명전극의 상부와, 상기 기판의 하부 각각에 패드용 전극을 형성하여 제조한, 질화물 반도체 발광 소자
9 9
삭제
10 9
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020050031602 KR 대한민국 FAMILY
2 US07109048 US 미국 FAMILY
3 US20050067623 US 미국 FAMILY
4 USRE045217 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005067623 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7109048 US 미국 DOCDBFAMILY
3 USRE45217 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.