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박막트랜지스터의 형성방법

기술번호 : KST2015029384
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 오믹 콘택층과 반도체층간의 필링 현상을 제거하도록 한 박막트랜지스터의 형성방법에 관한 것으로서, 투명 기판상에 금속막 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 단계, 상기 오믹 콘택층 및 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 투명 기판상에 일정한 간격을 갖는 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 오믹 콘택층을 포함한 전면에 비정질 실리콘층을 형성하고 상기 오믹 콘택층보다 낮은 온도에서 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층을 선택적으로 제거하여 액티브층을 형성하는 단계, 상기 액티브층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
Int. CL	G02F 1/1368 (2006.01)
CPC	G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01)
출원번호/일자	1020030076753 (2003.10.31)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-0928493-0000 (2009.11.18)
공개번호/일자	10-2005-0041544 (2005.05.04) 문서열기
공고번호/일자	(20091126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.10.28)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김빈	대한민국	서울특별시양천구
2	김철세	대한민국	대구광역시달서구
3	이홍구	대한민국	경기도용인시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	심창섭	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 *, 현대빌딩 층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.10.31	수리 (Accepted)	1-1-2003-0411541-14
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.10.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0747314-75
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2008.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0747315-10
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.04.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2009.05.25	수리 (Accepted)	9-1-2009-0032226-73
7	등록결정서 Decision to grant	2009.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0442740-73
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 투명 기판상에 금속막 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층 및 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 투명 기판상에 일정한 간격을 갖는 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층을 포함한 전면에 비정질 실리콘층을 형성하고 상기 오믹 콘택층보다 낮은 온도에서 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 선택적으로 제거하여 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 오믹 콘택층은 390℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 350℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 투명 기판상에 금속막 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층 및 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 투명 기판상에 일정한 간격을 갖는 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층을 포함한 투명 기판상의 전면에 미세결정 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 미세결정 실리콘층을 포함한 투명 기판상의 전면에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 선택적으로 제거하여 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 미세결정 실리콘층은 실란 : 수소의 비를 1:50 ~ 1:400, RF 파워를 300~1200W로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 반도체층은 실란 : 수소의 비를 1:3~1:4, RF 파워를 150~400W로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
10	10 제 7 항에 있어서, 상기 미세결정 실리콘층은 100Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
11	11 투명 기판상에 금속막 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층 및 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 투명 기판상에 일정한 간격을 갖는 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층을 포함한 투명 기판상의 전면에 제 1 미세결정 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 제 1 미세결정 실리콘층을 포함한 투명 기판상의 전면에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층상에 제 2 미세결정 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 제 1 미세결정 실리콘층, 반도체층, 제 2 미세결정 실리콘층을 선택적으로 제거하여 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 미세결정 실리콘층은 실란 : 수소의 비를 1:50 ~ 1:400, RF 파워를 300~1200W로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 반도체층은 실란 : 수소의 비를 1:3~1:4, RF 파워를 150~400W로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0928493-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031031 출원 번호 : 1020030076753 공고 연월일 : 20091126 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091028 청구범위의 항수 : 10 유별 : G02F 1/1368 발명의 명칭 : 박막트랜지스터의 형성방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	435,000 원	2009년 11월 19일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2012년 09월 28일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2013년 09월 30일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2014년 10월 21일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2015년 10월 28일	납입
제 8 년분	금 액	480,000 원	2016년 10월 12일	납입
제 9 년분	금 액	480,000 원	2017년 10월 16일	납입
제 10 년분	금 액	790,000 원	2018년 10월 15일	납입
제 11 년분	금 액	790,000 원	2019년 10월 15일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.10.31	수리 (Accepted)	1-1-2003-0411541-14
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	[명세서등 보정]보정서	2008.10.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0747314-75
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2008.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0747315-10
5	선행기술조사의뢰서	2009.04.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2009.05.25	수리 (Accepted)	9-1-2009-0032226-73
7	등록결정서	2009.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0442740-73
8	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
9	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
10	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95


기술번호	KST2015029384
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막트랜지스터의 형성방법
기술개요	본 발명은 오믹 콘택층과 반도체층간의 필링 현상을 제거하도록 한 박막트랜지스터의 형성방법에 관한 것으로서, 투명 기판상에 금속막 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 단계, 상기 오믹 콘택층 및 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 투명 기판상에 일정한 간격을 갖는 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 오믹 콘택층을 포함한 전면에 비정질 실리콘층을 형성하고 상기 오믹 콘택층보다 낮은 온도에서 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층을 선택적으로 제거하여 액티브층을 형성하는 단계, 상기 액티브층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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