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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015029414
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 측면 상의 반사막 이중 보호막을 형성함으로써, 레이저 다이오드의 측면 산화방지와 반사막을 보호할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 에피택설층 및 상/하부 전극이 형성된 웨이퍼를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 절단한 레이저 다이오드 칩바의 측면 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 상에 반사막을 형성하는 단계; 및 상기 반사막 상에 제 2 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 보호막은 산소 성분이 포함되지 않은 SixNy 계열의 물질이고, 상기 반사막은 저반사막 또는 고반사막이며, 상기 반사막은 Al2O3, SiO2, Si 또는 TiO2 계열의 절연체중 어느 하나 또는 둘을 선택하여 코팅하는 것을 특징으로 한다. 반도체, LD, 반사막, 보호막, 산화, 칩바
Int. CL H01S 5/30 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020030076882 (2003.10.31)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1039967-0000 (2011.06.01)
공개번호/일자 10-2005-0041645 (2005.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정탁 대한민국 전라북도전주시완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2003-0411952-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0756958-68
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0051572-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0187789-52
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0333029-72
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0333030-18
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0547015-98
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0841551-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0841550-75
16 등록결정서
Decision to grant
2011.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0224542-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에피택설층 및 상/하부 전극이 형성된 레이저 다이오드에 있어서, 상기 레이저 다이오드의 측면 상에 형성된 제 1 보호막; 상기 제 1 보호막 상에 형성된 반사막; 상기 반사막 상에 형성된 제 2 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 산소 성분이 포함되지 않은 SixNy 계열의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반사막은 TiO2, Al2O3, SiO2 중 적어도 하나를 포함하고 λ/4n(λ: 파장, n: 굴절율)의 광학 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반사막은 Al2O3, TiO2, SiO2, Si 계열의 절연체중 어느 하나 또는 둘을 선택하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
5 5
에피택설층 및 상/하부 전극이 형성된 웨이퍼를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 절단한 레이저 다이오드 측면 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 상에 반사막을 형성하는 단계; 및 상기 반사막 상에 제 2 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 보호막은 산소 성분이 포함되지 않은 SixNy 계열의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 반사막은 TiO2, Al2O3, SiO2 중 적어도 하나를 포함하고 λ/4n(λ: 파장, n: 굴절율)의 광학 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 반사막은 Al2O3, TiO2, SiO2, Si 계열의 절연체중 어느 하나 또는 둘을 선택하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.