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미세 실리콘 결정화 방법과 이를 포함하는 박막트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015029493
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세 결정질 실리콘 형성 방법 및 이를 포함한 미세결정 다결정 박막트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명을 간략히 요약하면, 미세 결정질 실리콘(micro crystal silicon)을 형성하기 위해, 기판 상에 씨드층(seed layer)을 형성 한 후, 씨드층 표면에 수소 플라즈마 처리 공정을 진행한다. 이와 같이 하면, 씨드층을 구성하는 비정질 실리콘 또는 결합이 약한 결정질 실리콘을 제거할 수 있게 되고, 이와 같이 씨드층을 구성하는 미세 결정의 밀도를 낮추게 되면 후속의 결정화 공정에서 미세 결정립을 조대(粗大)화 할 수 있다. 따라서, 박막트랜지스터의 특성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01)
출원번호/일자 1020030074376 (2003.10.23)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1031759-0000 (2011.04.21)
공개번호/일자 10-2005-0039023 (2005.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김빈 대한민국 서울특별시양천구
2 이혜선 대한민국 서울특별시강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정원기 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)(네이트특허법인)
2 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0396503-81
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0084082-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0675137-78
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0042659-21
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0338765-65
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0632947-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0048176-48
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.02.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0007207-19
12 등록결정서
Decision to grant
2011.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0208851-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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진공챔버 내에 구성된 기판 상에 실리콘(Si)이 증착되고, 증착과 동시에 미세한 실리콘 결정으로 구성된 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계와; 상기 진공챔버 내의 압력이 1000mTorr ~ 1500mTorr이 되도록하고, 파워는 1000W~2000W를 인가하여 수소 플라즈마(plasma)를 발생시켜 상기 씨드층의 표면을 상기 수소 플라즈마(plasma)에 노출시킴으로써 상기 씨드층을 이루는 결정을 선택식각하여 미세 실리콘 결정의 밀도를 낮추는 단계와; 상기 미세 실리콘 결정의 밀도를 낮춘 씨드층을 시작으로 하여 사일렌 가스(SiH4)와 수소 가스(H2)를 1: 10 ~ 1:400의 범위로 희석하고 이를 분해하여 증착함으로써 결정립이 조대한 미세 실리콘 결정층을 형성하는 단계 를 포함하는 미세 실리콘 결정화 방법
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기판 상에 이격 되어 구성된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극이 구성된 기판을 진공 챔버내에 구성하는 단계와; 진공 챔버 내에 구성된 기판 상에 실리콘(Si)이 증착되고, 증착과 동시에 미세한 실리콘 결정으로 구성된 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계와; 상기 진공챔버 내의 압력이 1000mTorr ~ 1500mTorr이 되도록하고, 파워는 1000W~2000W를 인가하여 수소 플라즈마(plasma)를 발생시켜 상기 씨드층의 표면을 상기 수소 플라즈마(plasma)에 노출시킴으로써 상기 씨드층을 이루는 결정을 선택식각하여 미세 실리콘 결정의 밀도를 낮추는 단계와; 상기 미세 실리콘 결정의 밀도를 낮춘 씨드층을 시작으로 하여 사일렌 가스(SiH4)와 수소 가스(H2)를 1: 10 ~ 1:400의 범위로 희석하고 이를 분해하여 증착함으로써 결정립이 조대한 미세 실리콘 결정층을 형성하는 단계; 상기 미세 실리콘 결정층을 패턴하여, 상기 소스 및 드레인 전극에 걸쳐 구성된 미세 실리콘 결정 액티브 패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극이 이격된 영역에 대응하는 미세 실리콘 결정 액티브 패턴의 상부에 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 미세결정 박막트랜지스터 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극과 미세 실리콘 결정 액티브 패턴 사이에 n+ 또는 p+ 불순물이 도핑된 반도체층인 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 포함하는 미세결정 박막트랜지스터 제조방법
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기판 상에 이격 되어 구성된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극이 구성된 기판을 진공 챔버내에 구성하는 단계와; 상기 진공 챔버 내에 구성된 기판 상에 실리콘(Si)이 증착되고, 증착과 동시에 미세한 실리콘 결정으로 구성된 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계와; 상기 진공챔버 내의 압력이 1000mTorr ~ 1500mTorr이 되도록하고, 파워는 1000W~2000W를 인가하여 수소 플라즈마(plasma)를 발생시켜 상기 씨드층의 표면을 상기 수소 플라즈마(plasma)에 노출시킴으로써 상기 씨드층을 이루는 결정을 선택식각하여 미세 실리콘 결정의 밀도를 낮추는 단계와; 상기 미세 실리콘 결정의 밀도를 낮춘 씨드층을 시작으로 하여 사일렌 가스(SiH4)와 수소 가스(H2)를 1: 10 ~ 1:400의 범위로 희석하고 이를 분해하여 증착함으로써 결정립이 조대한 미세 실리콘 결정층을 형성하는 단계와; 상기 미세 실리콘 결정층을 패턴하여, 상기 소스 및 드레인 전극에 걸쳐 구성된 미세 실리콘 결정 액티브 패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극이 이격된 영역에 대응하는 미세 실리콘 결정 액티브 패턴의 상부에 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 소스 전극과 접촉하는 데이터 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.