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클러스터형 증착 장비 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법

  • 기술번호 : KST2015029518
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요약 본 발명은 증착 전후 열처리를 하나의 클러스터 내에서 진행하여 진공 브레이크 없이 증착 공정을 진행할 수 있는 클러스터형 증착 장비 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 그 중 본 발명의 클러스터형 증착 장비는 복수개의 기판이 인입되어 대기하는 로더와, 기 로더에서 전송된 기판을 예열하는 프리히팅 챔버와, 상기 프리히팅 챔버로부터 이송된 기판에 소정의 막을 증착하는 복수개의 PECVD 챔버와, 상기 일 PECVD 챔버로부터 이송된 기판을 어닐링하는 어닐링 챔버와, 상기 어닐링 챔버로부터 빠져나오는 기판을 전송받아 이를 외부로 유출하는 언로더를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다. 클러스터(cluster)형, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 어닐링(annealing), 프리히팅(preheating), 수소화(Hydrogenation), 진공 브레이크(vacuum break)
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/545(2013.01)
출원번호/일자 1020030079417 (2003.11.11)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1048692-0000 (2011.07.06)
공개번호/일자 10-2005-0045367 (2005.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬일 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0424757-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0681149-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0390483-04
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0714378-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0714379-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0104649-35
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.03.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0010699-29
10 등록결정서
Decision to grant
2011.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0243409-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
1 1
복수개의 반도체층이 형성된 기판이 인입되어 대기하는 로더; 상기 로더에서 전송된 기판을 예열하는 프리히팅 챔버; 상기 프리히팅 챔버로부터 이송된 기판에 절연막을 증착하는 복수개의 PECVD 챔버; 상기 복수개의 PECVD 챔버 중 하나로부터 상기 반도체층 상에 상기 절연막이 증착되어 이송된 기판을, 반응 가스 H2 와, 분위기 가스 N2, H2 에 의해 수소화 어닐링하여 H2 를 잔류한 댕글링 본드와 결합시키는 어닐링 챔버; 상기 어닐링 챔버로부터 빠져나오는 기판을 전송받아 이를 외부로 유출하는 언로더를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 클러스터형 증착 장비
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 절연막은 SiNx 또는 SiO2 인 것을 특징으로 하는 클러스터형 증착 장비
4 4
로더/언로더, 복수개의 증착 챔버, 프리히팅 챔버 및 어닐링 챔버가 구비된 클러스터형 증착 장치를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 로더에 외부로부터 반도체층이 형성된 기판을 유입하는 단계; 상기 기판을 프리히팅 챔버에서 전송하여 상기 기판을 예열하는 단계; 상기 기판을 복수개의 증착 챔버 중 어느 하나의 챔버로 전송시켜 상기 기판 상에 SiNx 또는 SiO2 성분의 층간 절연막을 증착하는 단계; 상기 기판을 어닐링 챔버로 전송시켜 상기 반도체층 상에 상기 층간 절연막이 증착된 기판을 반응 가스 H2 와, 분위기 가스 N2, H2 에 의해 수소화 어닐링하여 상기 반도체층의 잔류된 댕글링 본드를 잡아주는 단계; 상기 기판을 언로더를 통해 외부로 유출시키는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 클러스터형 증착 장비를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 반도체층은 결정화 및 패터닝이 이루어진 것임을 특징으로 하는 클러스터형 증착 장비를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 어닐링은 15분 이내에 이루어진 것을 특징으로 하는 클러스터형 증착 장비를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 4항에 있어서, 상기 어닐링은 380~450℃의 온도에서 이루어진 것을 특징으로 하는 클러스터형 증착 장비를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.