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애노드전극 및 캐소드전극으로 이루어지는 단자부;
상기 전극들 중 하나의 전극의 상단에 형성된 반사컵 내에 실장되며, 연결수단을 이용하여 상기 애노드전극 및 상기 캐소드전극에 각각 전기적으로 연결되고 서로 다른 색의 빛을 방출하는 제1 및 제2 발광소자칩;
상기 제1 및 제2 발광소자칩을 밀봉하도록 형성되는 광투과성 수지층; 및,
상기 광투과성 수지층 내에, 상기 제1 발광소자칩 또는 상기 제2 발광소자칩에 의해 여기되어 적색광을 발광시키는 형광체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 발광소자칩은 청색광을 발광시키고, 상기 제2 발광소자칩은 녹색광을 발광시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 형광체는 상기 광투과성 수지층에 분말 형태로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 형광체는 판 형태로 이루어져 상기 제1 및 제2 발광소자칩으로부터 일정 거리 이격된 위치에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 발광소자칩은 서로 상이한 In 양을 갖는 InGaN을 함유하고 있는 발광소자인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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6
제1항에 있어서, 상기 제1 발광소자칩에서 발광된 청색광, 상기 제2 발광소자칩에서 발광된 녹색광 및 상기 제1 발광소자칩 또는 상기 제2 발광소자칩에 의해 상기 형광체가 여기되어 발광되는 적색광의 조합으로 백색광이 얻어지는 것을 특징으로 하는 하는 반도체 발광장치
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7
애노드전극 및 캐소드전극으로 이루어지는 단자부;
상기 전극들 중 하나의 전극의 상단에 형성된 반사컵 내에 실장되며, 연결수단을 이용하여 상기 애노드전극 및 상기 캐소드전극에 각각 전기적으로 연결되고 서로 다른 색의 빛을 방출하는 제1 및 제2 발광소자칩;
상기 제1 및 제2 발광소자칩을 밀봉하도록 형성되는 광투과성 수지층; 및,
상기 광투과성 수지층 내에, 상기 제1 발광소자칩 또는 상기 제2 발광소자칩에 의해 여기되어 황색광을 발광시키는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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제7항에 있어서, 상기 제1 발광소자칩은 자외선을 발광시키고, 상기 제2 발광소자칩은 청색광을 발광시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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9
제7항에 있어서, 상기 형광체는 상기 광투과성 수지층에 분말 형태로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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10
제7항에 있어서, 상기 형광체는 판 형태로 이루어져 상기 제1 및 제2 발광소자칩으로부터 일정 거리 이격된 위치에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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11
제7항에 있어서, 상기 제1 발광소자칩에서 발광된 자외선에 의해 상기 형광체가 여기되어 발광되는 황색광과 상기 제2 발광소자칩에서 발광된 청색광의 조합으로 백색광이 얻어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치
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