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화면이 구현되는 최소 단위 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과,상기 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와,상기 제 2기판 하부에 위치하며, 청색 광을 적, 녹, 청 삼원색으로 변환시키는 적, 녹, 청색 변환층을 가지는 색변환부와,상기 색변환부 하부에 위치하며, 투광성을 가지는 도전성 물질로 이루어진 제 1전극과,상기 제 1전극 하부에서 서브픽셀 단위 경계부에 위치하며, 역 스텝 프로파일(step profile) 형태의 이중층의 무기절연 물질로 이루어진 격벽과,상기 격벽 내 서브픽셀 단위로 형성된 청색 발광층을 가지는 유기전계발광층과,상기 유기전계발광층 하부에서 서브픽셀 단위로 패턴화된 제 2전극과,상기 각 서브픽셀 별로 구비된 상기 박막트랜지스터와 상기 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전기적 연결패턴이 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 무기 절연물질은 질화실리콘(SiNx)임을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 이중층의 무기 절연물질은 서로 식각비가 상이한 무기 절연물질로 구성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 3항에 있어서, 상기 이중층의 무기 절연물질에 있어서, 상층 무기 절연물질의 식각율이 하층 무기 절연물질의 식각율보다 낮음을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 색변환부와 제 1전극 사이 구간에 평탄화층이 더 구비됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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적, 녹, 청 서브픽셀로 구성되는 픽셀이 정의된 제 1, 2기판을 구비하는 단계와,상기 제 1기판 상에 서브픽셀 단위로 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자를 형성하는 단계와,상기 어레이 소자 상에 상기 스위칭 소자와 연결되는 전기전 연결패턴을 형성하는 단계와,상기 제 2기판 상에 적, 녹, 청색 변환층을 가지는 색변환부를 형성하는 단계와,상기 색변환부 상부에 평탄화층을 형성하는 단계와,상기 평탄화층 상부에 투광성을 가지는 제 1전극을 형성하는 단계와,상기 제 1전극 상부의 서브픽셀 경계부에 역 스텝 프로파일(step profile) 형태의 이중층의 무기 절연물질로 이루어진 격벽을 형성하는 단계와,상기 격벽간 사이 구간에 청색 발광층을 가지는 유기전계발광층 및 제 2전극을 순차적으로 형성하는 단계와,상기 전기적 연결패턴과 제 2전극을 연결하여, 상기 제 1, 2기판을 전기적으로 연결시키는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 단계는, 상기 제 1전극 상에 저밀도의 질화실리콘 및 고밀도의 질화실리콘을 순차적으로 형성하는 단계와, 플라즈마 에칭 공정에 의해 상기 이중층의 질화실리콘을 식각하여 역 스텝 프로파일(step profile) 형태의 격벽을 형성하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭 공정에 사용되는 SF6/O2 가스의 유량비 및 공정 압력을 조절하여 상기 역 스텝 프로파일(step profile) 형태의 격벽을 형성함을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 공정 압력이 1 ~ 200m 토르(Torr) 범위에서 상기 SF6/O2 가스의 유량비가 100 ~ 0
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제 8항에 있어서, 상기 공정 압력이 1 ~ 200m 토르(Torr) 범위에서 상기 SF6/O2 가스의 유량비가 100 ~ 0
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