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발광소자의 활성층 성장 방법

기술번호 : KST2015030031
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 발광소자의 활성층 성장 방법에 관한 것으로, N 반도체층 상부에 활성층이 형성되어 있고, 상기 활성층 상부에 P 반도체층이 형성되어, N 반도체층과 P 반도체층에 인가된 전류에 의해 활성층에서 광이 방출되는 구조를 갖는 발광소자의 활성층 성장 방법에 있어서, 상기 활성층은, 상기 N형 반도체층 상부에 양자 배리어층, 양자 우물층, 양자 배리어층을 순차적으로 성장시킨 후, 제 1 어닐링(Annealing) 공정을 수행하는 제 1 단계와; 상기 제 1 어닐링 공정을 수행한 후, 상기 제 1 단계에서 성장된 최상위 양자 배리어층 상부에 양자 우물층과 양자 배리어층을 순차적으로 성장시키고, 그 후, 제 2 어닐링 공정을 수행하는 제 2 단계를 수행하여 성장시킨다. 따라서, 본 발명은 온도를 일정히 하여 양자 우물층과 양자 배리어층을 성장시키고, 양자 배리어층으로 양자 우물층을 보호한 후, 어닐링 공정을 수행하여 활성층을 성장시킴으로써, 양자 우물층의 분해 및 증발을 억제하여 계면 특성, 광학적 특성과 두께의 균일성을 개선할 수 있으며, 양자 우물층의 품질저하를 최소화시킬 수 있어, 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 발광, 소자, 활성층, 어닐링,
Int. CL	H01L 33/06 (2014.01)
CPC	H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자	1020030092444 (2003.12.17)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0573489-0000 (2006.04.17)
공개번호/일자	10-2005-0060737 (2005.06.22) 문서열기
공고번호/일자	(20060424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.12.17)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최윤호	대한민국	서울특별시성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.12.17	수리 (Accepted)	1-1-2003-0481868-02
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.08.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2005-0058917-63
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0541108-33
5	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.12.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0763290-28
6	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0763228-18
7	의견서 Written Opinion	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0763243-93
8	대리인사임신고서 Notification of resignation of agent	2006.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2006-0118112-04
9	등록결정서 Decision to grant	2006.04.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0206897-48
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 N 반도체층 상부에 활성층이 형성되어 있고, 상기 활성층 상부에 P 반도체층이 형성되어, N 반도체층과 P 반도체층에 인가된 전류에 의해 활성층에서 광이 방출되는 구조를 갖는 발광소자의 활성층 성장 방법에 있어서,상기 활성층은,상기 N형 반도체층 상부에 양자 배리어층, 양자 우물층, 양자 배리어층을 순차적으로 성장시킨 후, 제 1 어닐링(Annealing) 공정을 수행하는 제 1 단계와;상기 제 1 어닐링 공정을 수행한 후, 상기 제 1 단계에서 성장된 최상위 양자 배리어층 상부에 양자 우물층과 양자 배리어층을 순차적으로 성장시키고, 그 후, 제 2 어닐링 공정을 수행하는 제 2 단계를 수행하여 성장시키고,상기 활성층 성장공정 후에, 상기 성장된 활성층 상부에 P 반도체층을 성장하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 양자 우물층과 양자 배리어층 각각은 InGaN층으로 성장하여, 상기 양자 우물층과 양자 배리어층 각각을 동일 온도에서 InGaN층의 In 조성을 변화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1과 2 어닐링은, 상기 양자 우물층과 양자 배리어층을 성장시키는 온도보다 높은 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
4	4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 단계를 수행한 후에, 제 2 단계를 적어도 1회 이상 더 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
5	5 N 반도체층 상부에 활성층이 형성되어 있고, 상기 활성층 상부에 P 반도체층이 형성되어, N 반도체층과 P 반도체층에 인가된 전류에 의해 활성층에서 광이 방출되는 구조를 갖는 발광소자의 활성층 성장 방법에 있어서, 상기 활성층은,상기 N형 반도체층 상부에 양자 배리어층, 양자 우물층, 양자 배리어층, 양자 우물층, 양자 배리어층을 순차적으로 성장시키는 제 1 단계와;상기 제 1 단계 후, 어닐링(Annealing) 공정을 수행하는 제 2 단계를 수행하여 성장시키고,상기 활성층 성장공정 후에, 상기 성장된 활성층 상부에 P 반도체층을 성장하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 양자 우물층과 양자 배리어층 각각은 InGaN층으로 성장하여, 상기 양자 우물층과 양자 배리어층 각각을 동일 온도에서 InGaN층의 In 조성을 변화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 어닐링은, 상기 양자 우물층과 양자 배리어층을 성장시키는 온도보다 높은 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
8	8 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에, 상기 제 1 단계에서 성장된 최상위 양자 배리어층 상부에 양자 우물층과 양자 배리어층을 순차적으로 성장시키는 공정을 적어도 1회 이상 더 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법
9	8 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에, 상기 제 1 단계에서 성장된 최상위 양자 배리어층 상부에 양자 우물층과 양자 배리어층을 순차적으로 성장시키는 공정을 적어도 1회 이상 더 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 활성층 성장 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0573489-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031217 출원 번호 : 1020030092444 공고 연월일 : 20060424 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060412 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 발광소자의 활성층 성장 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180418

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	513,000 원	2006년 04월 14일	납입
제 4 년분	금 액	216,000 원	2009년 03월 31일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2010년 03월 31일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2011년 03월 28일	납입
제 7 년분	금 액	404,000 원	2012년 03월 27일	납입
제 8 년분	금 액	404,000 원	2013년 03월 26일	납입
제 9 년분	금 액	404,000 원	2014년 04월 14일	납입
제 10 년분	금 액	680,000 원	2015년 03월 24일	납입
제 11 년분	금 액	680,000 원	2016년 03월 24일	납입
제 12 년분	금 액	680,000 원	2017년 03월 24일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.12.17	수리 (Accepted)	1-1-2003-0481868-02
2	선행기술조사의뢰서	2005.08.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2005-0058917-63
4	의견제출통지서	2005.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0541108-33
5	명세서등보정서	2005.12.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0763290-28
6	대리인선임신고서	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0763228-18
7	의견서	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0763243-93
8	대리인사임신고서	2006.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2006-0118112-04
9	등록결정서	2006.04.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0206897-48
10	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
12	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015030031
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	발광소자의 활성층 성장 방법
기술개요	본 발명은 발광소자의 활성층 성장 방법에 관한 것으로, N 반도체층 상부에 활성층이 형성되어 있고, 상기 활성층 상부에 P 반도체층이 형성되어, N 반도체층과 P 반도체층에 인가된 전류에 의해 활성층에서 광이 방출되는 구조를 갖는 발광소자의 활성층 성장 방법에 있어서, 상기 활성층은, 상기 N형 반도체층 상부에 양자 배리어층, 양자 우물층, 양자 배리어층을 순차적으로 성장시킨 후, 제 1 어닐링(Annealing) 공정을 수행하는 제 1 단계와; 상기 제 1 어닐링 공정을 수행한 후, 상기 제 1 단계에서 성장된 최상위 양자 배리어층 상부에 양자 우물층과 양자 배리어층을 순차적으로 성장시키고, 그 후, 제 2 어닐링 공정을 수행하는 제 2 단계를 수행하여 성장시킨다. 따라서, 본 발명은 온도를 일정히 하여 양자 우물층과 양자 배리어층을 성장시키고, 양자 배리어층으로 양자 우물층을 보호한 후, 어닐링 공정을 수행하여 활성층을 성장시킴으로써, 양자 우물층의 분해 및 증발을 억제하여 계면 특성, 광학적 특성과 두께의 균일성을 개선할 수 있으며, 양자 우물층의 품질저하를 최소화시킬 수 있어, 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 발광, 소자, 활성층, 어닐링,
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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