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기판 상부에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터 상부의 기판 전면에 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 도전성 물질층을 형성하는 단계와;
상기 도전성 물질층 상부의 기판 전면에 감광성 유기물질층을 형성하는 단계와;
상기 감광성 유기물질층 상부에 투과부, 차단부, 반투과부를 갖는 마스크를 배치하여 상기 감광성 유기물질층을 노광하는 단계와;
상기 감광성 유기물질층을 현상하여 상기 반투과부에 대응되고 제 1 두께를 갖는 제 1 영역과 상기 차단부에 대응되고 상기 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 영역으로 이루어지는 감광성 유기물질패턴을 형성하는 단계와;
상기 감광성 유기물질패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 도전성 물질층을 식각함으로써 제 1 전극을 형성하는 단계와;
상기 감광성 유기물질패턴을 식각하여 상기 제 1 영역에 대응되는 개구부를 갖는 절연층을 형성하는 단계와;
상기 절연층 상부에 상기 개구부를 통해 상기 제 1 전극과 연결되는 유기전계발광층을 형성하는 단계와;
상기 유기전계발광층 상부의 기판 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 마스크의 반투과부의 투과도는 상기 마스크의 투과부의 투과도보다 작고 상기 마스크의 차단부보다 큰 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 마스크의 반투과부에는 회절패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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4
제 1 항에 있어서,
상기 개구부는 상기 제 1 전극의 중앙부를 노출하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제 1 전극의 가장자리부를 덮는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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6
제 1 항에 있어서,
상기 도전성 물질층은 습식식각법을 이용하여 식각되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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7
제 1 항에 있어서,
상기 감광성 유기물질패턴은 건식식각법을 이용하여 식각되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 기판 상부에 게이트배선을 형성하는 단계와;
상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와;
상기 게이트배선과 교차하고 상기 데이터배선과 이격되어 서브픽셀영역을 정의하고 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 전력선을 형성하는 단계와;
상기 게이트배선, 데이터배선, 구동 박막트랜지스터에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계
를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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기판 상부에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터 상부의 기판 전면에 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 도전성 물질층을 형성하는 단계와;
상기 도전성 물질층 상부의 기판 전면에 감광성 유기물질층을 형성하는 단계와;
상기 감광성 유기물질층 상부에 투과부, 차단부, 반투과부를 갖는 마스크를 배치하여 상기 감광성 유기물질층을 노광하는 단계와;
상기 감광성 유기물질층을 현상하여 상기 반투과부에 대응되고 제 1 두께를 갖는 제 1 영역과 상기 차단부에 대응되고 상기 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 영역으로 이루어지는 감광성 유기물질패턴을 형성하는 단계와;
상기 감광성 유기물질패턴과 상기 도전성 물질층을 동시에 식각하여 상기 제 1 영역에 대응되는 개구부를 갖는 절연층과 상기 제 1 및 2 영역에 대응되는 제 1 전극을 형성하는 단계와;
상기 절연층 상부에 상기 개구부를 통해 상기 제 1 전극과 연결되는 유기전계발광층을 형성하는 단계와;
상기 유기전계발광층 상부의 기판 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제 1 전극의 가장자리부를 덮으며 상기 개구부는 상기 제 1 전극의 중앙부를 노출하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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