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유기전계발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015030265
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구조 및 제조공정을 단순화 할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기전계발광소자는 게이트라인과; 상기 게이트라인과 교차하는 데이터라인과; 상기 게이트라인과 교차하며 상기 데이터라인과 나란하게 형성되어 화소영역을 정의하는 파워라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 스위칭소자와; 상기 스위칭소자 및 파워라인과 접속된 구동소자와; 상기 구동소자와 접속되며 상기 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 게이트라인, 상기 구동소자의 게이트 전극 및 스위칭 소자의 게이트 전극을 제외한 영역에 형성되며 상기 데이터라인, 파워라인, 상기 구동소자 및 스위칭소자 중 적어도 어느 하나를 덮도록 형성된 투명전극패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H05B 33/26 (2006.01)
CPC H01L 27/3276(2013.01) H01L 27/3276(2013.01) H01L 27/3276(2013.01) H01L 27/3276(2013.01)
출원번호/일자 1020030096713 (2003.12.24)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1057776-0000 (2011.08.11)
공개번호/일자 10-2005-0065820 (2005.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20110819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.11)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경묵 대한민국 서울특별시구로구
2 안태준 대한민국 서울특별시성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0495404-14
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0657233-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0853920-32
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0001968-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0042263-48
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0142428-51
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0142431-99
10 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination		 2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0330856-35
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0506731-65
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0003346-79
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0003345-23
15 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0383136-46
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트라인과; 상기 게이트라인과 교차하는 데이터라인과; 상기 게이트라인과 교차하며 상기 데이터라인과 나란하게 형성되어 화소영역을 정의하는 파워라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 스위칭소자와; 상기 스위칭소자 및 파워라인과 접속된 구동소자와; 상기 구동소자와 접속되며 상기 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 게이트라인, 상기 구동소자의 게이트 전극 및 스위칭 소자의 게이트 전극을 제외한 영역에 형성되며 상기 데이터라인, 파워라인, 상기 구동소자 및 스위칭소자 중 적어도 어느 하나를 덮도록 형성된 투명전극패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 투명전극 패턴은 상기 데이터 라인, 상기 파워라인, 상기 구동 소자 및 스위칭 소자 중 적 적어도 어느 하나와 직접 접속된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자 및 구동 소자는 상기 게이트 라인과 접속된 게이트 전극, 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 중첩되게 형성된 액티브층, 층간절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 절연되게 형성된 소스/드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 투명전극 패턴은 상기 데이터 라인 및 스위칭 소자의 소스전극을 덮도록 형성된 제1 투명패턴과; 상기 파워라인 및 구동소자의 소스전극을 덮도록 형성된 제2 투명패턴과; 상기 스위칭 소자의 드레인전극을 덮도록 형성된 제3 투명패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 라인과 접속된 게이트패드 하부전극과; 상기 게이트 패드 하부전극과 접속된 더미패턴과; 상기 더미패턴과 직접 접속됨과 아울러 상기 더미패턴을 덮도록 형성된 게이트패드 상부전극을 포함하는 게이트 패드부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인과 접속되는 데이터 패드하부전극과; 상기 데이터패드 하부전극과 직접 접속됨과 아울러 상기 데이터패드 하부전극을 덮도록 형성된 데이터패드 상부전극을 포함하는 데이터 패드부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 파워라인과 접속된 파워패드 하부전극과; 상기 파워패드 하부전극과 직접 접속됨과 아울러 상기 파워패드 하부전극을 덮도록 형성된 파워패드 상부전극을 포함하는 파워패드부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
8 8
제 3 항에 있어서, 상기 층간절연막 및 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 파워라인과 중첩되게 형성되어 스토리지 캐패시터를 형성하는 제2 액티브층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인 및 파워라인은 동일물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 투명전극을 노출시키며 소스/드레인 전극을 덮도록 형성됨과 아울러 상기 각각의 화소영역을 구분하는 격벽을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 격벽은 SiNx 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
12 12
다수의 게이트 라인과 교차되는 다수의 데이터 라인과; 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 의해 정의되는 화소영역에 형성되는 화소전극과; 상기 데이터라인에 연결되는 소스전극, 상기 화소전극에 연결되는 드레인전극, 및 상기 게이트라인에 연결되는 게이트전극을 가지는 박막트랜지스터와; 상기 데이터라인, 소스전극 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나에 직접 접촉되는 투명전극패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
13 13
기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와; 상기 버퍼막 상에 구동 소자의 게이트 전극, 스위칭 소자의 게이트 전극, 상기 게이트 라인과 접속된 게이트 라인을 포함하는 게이트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트라인과 교차하는 데이터라인과, 상기 데이터 라인과 소정간격을 두고 나란한 파워라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 스위칭소자를 형성하는 단계와; 상기 스위칭소자 및 파워라인과 접속된 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 구동소자와 직접 접속되도록 화소전극을 형성함과 아울러 상기 게이트라인, 상기 구동소자의 게이트 전극 및 스위칭 소자의 게이트 전극을 제외한 영역에 형성되며 상기 데이터라인, 파워라인, 상기 구동소자 및 스위칭소자 중 적어도 어느 하나를 덮도록 투명전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 투명전극 패턴은 상기 데이터 라인, 상기 파워라인, 상기 구동 소자 및 스위칭 소자 중 적 적어도 어느 하나와 직접 접속되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 스위칭 소자 및 구동 소자를 형성하는 단계는 상기 버퍼막 상에 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상에 형성되어 상기 액티브층을 노출시키는 층간절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간절연막 상에 형성되어 상기 액티브층과 접속되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 투명전극패턴을 형성하는 단계는 상기 데이터 라인 및 스위칭 소자의 소스전극을 덮도록 형성된 제1 투명패턴과, 상기 파워라인 및 구동소자의 소스전극을 덮도록 형성된 제2 투명패턴과, 상기 스위칭 소자의 드레인전극을 덮도록 형성된 제3 투명패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 게이트 라인과 접속된 게이트패드 하부전극과, 상기 게이트 패드 하부전극과 접속된 더미패턴과, 상기 더미패턴과 직접 접속됨과 아울러 상기 더미패턴을 덮도록 형성된 게이트패드 상부전극을 포함하는 게이트 패드부를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 데이터 라인과 접속되는 데이터 패드하부전극과, 상기 데이터패드 하부전극과 직접 접속됨과 아울러 상기 데이터패드 하부전극을 덮도록 형성된 데이터패드 상부전극을 포함하는 데이터 패드부를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 파워라인과 접속된 파워패드 하부전극과, 상기 파워패드 하부전극과 직접 접속됨과 아울러 상기 파워패드 하부전극을 덮도록 형성된 파워패드 상부전극을 포함하는 파워패드부를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
20 20
제 15 항에 있어서, 상기 층간절연막 및 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 파워라인과 중첩되게 형성되어 스토리지 캐패시터를 형성하는 제2 액티브층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
21 21
제 13 항에 있어서, 상기 데이터 라인 및 파워라인은 동일물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
22 22
제 13 항에 있어서, 상기 투명전극을 노출시키며 소스/드레인 전극을 덮도록 형성됨과 아울러 각각의 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 격벽은 SiNx 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.