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구동용 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자층과, 상기 구동용 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 유기전계발광 소자의 구동용 박막트랜지스터에 있어서,
기판 상에 형성된 게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성되며, 순수 비정질 실리콘 물질층과 불순물 비정질 실리콘 물질층이 차례대로 적층된 구조로 이루어진 반도체층과;
상기 반도체층 상의 중앙부에 위치하는 원형 패턴 구조의 제 1 구동 전극과;
상기 제 1 구동 전극을 포위하는 구조로, 상기 제 1 구동 전극과 일정간격 이격되게 환형상으로 이루어진 제 2 구동 전극
을 포함하며, 상기 제 1 구동 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 한 전극이고, 상기 제 2 구동 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극 중 나머지 한 전극이며, 상기 제 1, 제 2 구동 전극의 이격 구간에 순수 반도체 물질 영역으로 이루어진 채널이 구성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 다이오드 소자의 구동용 박막트랜지스터
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구동용 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자층과, 상기 구동용 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 유기전계발광 소자의 구동용 박막트랜지스터에 있어서,
기판 상에 형성된 게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성되며, 순수 비정질 실리콘 물질층과 불순물 비정질 실리콘 물질층이 차례대로 적층된 구조로 이루어진 반도체층과;
상기 반도체층 상의 중앙부에 위치하는 다각형 패턴 구조의 제 1 구동 전극과;
상기 제 1 구동 전극을 포위하는 구조로, 상기 제 1 구동 전극과 일정간격 이격되게 위치하며 다각형 틀형상을 가지는 제 2 구동 전극
을 포함하며, 상기 제 1 구동 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 한 전극이고, 상기 제 2 구동 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극 중 나머지 한 전극이며, 상기 제 1, 제 2 구동 전극의 이격 구간에 순수 비정질 실리콘 물질 영역으로 이루어진 채널이 구성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 다이오드 소자의 구동용 박막트랜지스터
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제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 채널의 폭은 제 1 패턴의 내측과, 제 2 패턴의 외측의 중간지점에서의 둘레 길이에 해당되고, 상기 채널의 길이는 상기 소스 전극 및 드레인 전극 간의 이격거리와 대응되는 값을 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 다이오드 소자의 구동용 박막트랜지스터
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제 2 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2 구동 전극은, 사각형, 삼각형, 십자형 패턴 구조 중 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 다이오드 소자의 구동용 박막트랜지스터
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제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 구동용 반도체층은, 방사상 구조를 이루는 다수 개로 분할된 패턴으로 이루어지고, 상기 다수 개의 반도체층과 대응된 위치에서, 상기 채널은 다수 개로 이루어져, 상기 채널과 대응되게 다수 개의 박막트랜지스터가 병렬 구조로 연결되어 하나의 구동용 박막트랜지스터를 이루는 유기전계발광 다이오드 소자의 구동용 박막트랜지스터
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제 1 방향으로 형성된 게이트 배선과;
상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며 서로 이격되게 위치하는 데이터 배선 및 파워 배선과;
상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 위치하며, 스위칭용 게이트 전극, 스위칭용 반도체층, 스위칭용 소스 전극, 스위칭용 드레인 전극으로 이루어진 스위칭용 박막트랜지스터와;
상기 스위칭용 드레인 전극과 연결되는 구동용 게이트 전극과;
상기 구동용 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 구동용 반도체층과;
상기 구동용 반도체층 상의 중앙부에 원형 또는 다각형 구조 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 파워 배선에서 분기되는 파워 전극과 연결되는 소스 전극과;
상기 소스 전극의 파워 전극과의 연결부를 제외한 영역을 포위하는 구조를 가지며, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되며, 환형상 또는 다각형 틀형상 중 어느 하나를 가지고, 연결되는 드레인 전극과;
상기 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선이 교차되는 영역은 화소 영역으로 정의되고, 상기 드레인 전극과 연결되어 화소 영역에 형성되는 유기전계발광 다이오드 소자용 전극
을 포함하며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 이격 구간에 반도체층의 순수 비정질 실리콘 물질이 노출된 영역인 채널이 구성되며, 상기 구동용 게이트 전극, 구동용 반도체층, 구동용 소스 전극, 구동용 드레인 전극은 구동용 박막트랜지스터를 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1 방향으로 형성된 게이트 배선과;
상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며 서로 이격되게 위치하는 데이터 배선 및 파워 배선과;
상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 위치하며, 스위칭용 게이트 전극, 스위칭용 반도체층, 스위칭용 소스 전극, 스위칭용 드레인 전극으로 이루어진 스위칭용 박막트랜지스터와;
상기 스위칭용 드레인 전극과 연결되는 구동용 게이트 전극과;
상기 구동용 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 구동용 반도체층과;
상기 구동용 반도체층 상의 중앙부에 원형 또는 다각형 구조 중 어느 하나로 이루어지는 드레인 전극과;
상기 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선이 교차되는 영역은 화소 영역으로 정의되고, 상기 드레인 전극과 연결되어 화소 영역에 형성되는 유기전계발광 다이오드 소자용 전극과;
상기 드레인 전극과 유기전계발광 다이오드 소자용 전극 간의 연결부를 제외한 영역을 포위하는 구조를 가지며, 상기 드레인 전극과 일정간격 이격되며, 환형상 또는 다각형 틀형상 중 어느 하나를 가지고, 상기 파워 배선에서 분기되는 파워 전극과 연결되는 소스 전극
을 포함하며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 간의 이격 구간에 반도체층의 순수 비정질 실리콘 물질이 노출된 영역인 채널이 구성되고, 상기 구동용 게이트 전극, 구동용 반도체층, 구동용 소스 전극, 구동용 드레인 전극은 구동용 박막트랜지스터를 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 6 항 또는 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 채널의 폭은, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 간의 중간지점에서의 둘레길이이고, 상기 채널의 길이는 상기 소스 전극 및 드레인 전극 간 이격거리에 대응되는 값인 유기전계발광 소자
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제 6 항 또는 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유기전계발광 다이오드 소자는, 상기 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극과, 유기발광층, 제 2 전극으로 이루어지는 유기전계발광 소자
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제 6 항 또는 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 구동용 반도체층은, 방사상 구조를 이루는 다수 개로 분할된 패턴으로 이루어지고, 상기 다수 개의 반도체층과 대응된 위치에서, 상기 채널은 다수 개로 이루어져, 상기 채널과 대응되게 다수 개의 박막트랜지스터가 병렬 구조로 연결되어 하나의 구동용 박막트랜지스터를 이루는 유기전계발광 소자
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