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기판; 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 버퍼층, 제1 n형 GaN층, 활성층 및 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 형성되는 제2 n형 GaN층; 및 상기 제1 n형 GaN층의 소정 부분, 상기 p형 GaN층의 소정 부분 및 상기 제2 n형 GaN층의 소정 부분에 각각 형성되는 제1, 제2 및 제3 전극 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 GaN층과 상기 제2 n형 GaN층 사이에는 순방향 바이어스가 걸리고, 상기 제1 n형 GaN층과 상기 p형 GaN층 사이에는 역방향 바이어스가 걸리는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 n형 GaN층, 상기 활성층, 상기 p형 GaN층 및 상기 제2 n형 GaN층은 n-p-n 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 n형 GaN층에 인가되는 전압이 가장 크고, 상기 p형 GaN층에 인가되는 전압은 상기 제1 n형 GaN층에 인가되는 전압보다 상대적으로 작으며, 상기 제2 n형 GaN층에 인가되는 전압은 상기 p형 GaN층에 인가되는 전압보다 상대적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 GaN층의 두께는 전자의 확산 거리보다 작아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 역방향 바이어스에 의해 생성된 전기장이 상기 활성층 내에 존재하는 압전 전기장을 상쇄시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 역방향 바이어스에 의해 생성된 전기장이 상기 활성층 내에 존재하는 압전 전기장을 상쇄시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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