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서로 마주보며 이격되고 다수의 화소영역이 정의된 된 제 1 기판 및 제 2 기판과;
상기 제 1 기판 상부에 화소영역 별로 박막트랜지스터를 포함하는 어레이부와;
상기 박막트랜지스터와 연결되어 어레이부 상부에 형성된 투명전극과;
상기 투명전극 상부에 형성된 유기 발광층과;
상기 유기 발광층의 상부 전면에 형성되고 한쪽 면에 파도모양의 굴곡을 가지고 있는 반사전극과;
상기 제 2 기판의 하부 면에 위치한 흡습제(desiccant)와;
상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리에서 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착하는 실런트
를 포함하는 하부발광식 유기전계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO) 중에서 선택된 하나인 투명도전성 물질인 하부발광식 유기전계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 반사전극은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속물질 중에서 적어도 하나를 포함하는 하부발광식 유기전계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 흡습제는 반투과성(半透過性) 테이프(tape)에 의해 제 2 기판의 내부에 봉지되어있는 하부발광식 유기전계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 반사전극의 일면은 유기 발광층과 접하고 평탄하게 구성되며, 상기 파도모양의 굴곡은 유기 발광층의 반대면에 PDMS 몰드에 의해 형성된 하부발광식 유기전계 발광소자
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서로 마주보며 이격되어 있는 제 1 기판 및 제 2 기판에 다수의 화소영역을 정의하는 단계와;
상기 제 1 기판 상부에 화소영역 별로 박막트랜지스터를 포함하는 어레이부를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터와 연결되어 어레이부 상부에 투명전극을 형성하는 단계와;
상기 투명전극 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와;
상기 유기 발광층의 상부 전면에 한쪽 면이 파도모양의 굴곡을 가지는 반사전극을 형성하는 단계와;
상기 제 2 기판의 하부 면에 흡습제(desiccant)를 형성하는 단계와;
상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리에서 상기 제 1 및 제 2 기판을 실런트를 사용하여 합착하는 단계
를 포함하는 하부발광식 유기전계 발광소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)를 포함하는 투명도전성 물질 중 선택된 하나로 형성하는 하부발광식 유기전계 발광소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 반사전극은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속물질 중에서 적어도 하나를 포함하도록 형성하는 하부발광식 유기전계 발광소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 흡습제는 반투과성(半透過性) 테이프(tape)에 의해 제 2 기판의 내부에 봉지되어있도록 구성하는 하부발광식 유기전계 발광소자 제조방법
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10
제 6 항에 있어서,
상기 반사전극의 일면은 평탄하게 구성하여 유기 발광층에 접하도록 하고, 유기 발광층과 접하지 않는 타면에는 상기 파도모양의 굴곡을 형성하는 하부발광식 유기전계 발광소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 파도모양의 굴곡을 갖는 반사전극을 형성하는 단계는 PDMS 몰드를 반사전극에 접촉시키고 열을 가하여 어닐링(annealing)을 하는 단계를 포함하는 하부 발광식 유기전계 발광소자 제조방법
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