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풀컬러 구조 유기전계발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015030528
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요약 본 발명에서는 공정이 단순화된 풀컬러 구조 유기전계발광 소자를 제공하기 위하여, 화소 영역 이외의 영역을 소수성처리하여, 별도의 뱅크없이 용액타입의 적, 녹, 청 발광물질을 포함하는 유기발광물질을 화소 영역 별로 분리된 구조로 형성함으로써, 비화소 영역만을 선택적으로 소수성처리하는 구조 및 제조 방법에 의해, 별도의 뱅크없이도 풀컬러 구현이 가능하며, 제조 공정을 생략하여 제조 비용을 절감하여 생산수율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01)
출원번호/일자 1020030098644 (2003.12.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0580872-0000 (2006.05.10)
공개번호/일자 10-2005-0067647 (2005.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20060516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.29)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성준 대한민국 경기도성남시분당구
2 이재윤 대한민국 서울특별시용산구
3 김진욱 대한민국 서울특별시용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0501712-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0057535-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0055786-81
5 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0211674-45
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0211670-63
7 의견서
Written Opinion
2006.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0211672-54
8 등록결정서
Decision to grant
2006.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0207849-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화면을 구현하는 최소 단위 영역이며, 서로 이격되게 위치하는 다수 개의 화소 영역과, 상기 화소 영역 간 이격 구간에 위치하는 비화소 영역이 정의된 기판 상에, 화소 영역별로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부의 비화소 영역에 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막 상부의 비화소 영역을 선택적으로 소수성 처리하여 소수성영역을 형성하는 단계와; 상기 소수성 영역을 경계부로 하여, 상기 층간 절연막 상부의 화소 영역에 용액타입의 유기발광물질을 이용하여 화소 영역별 적, 녹, 청 발광층이 차례대로 형성된 구조로 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층을 덮는 기판 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
2 2
화면을 구현하는 최소 단위 영역이며, 서로 이격되게 위치하는 다수 개의 화소 영역과, 상기 화소 영역 간 이격 구간에 위치하는 비화소 영역이 정의된 기판 상에, 화소 영역별로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부의 비화소 영역에 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막 상부를 덮는 기판 전면에 제 1 전극용 캐리어 전달층을 형성하는 단계와; 상기 캐리어 전달층 상부의 비화소 영역을 선택적으로 소수성 처리하여 소수성 영역을 형성하는 단계와; 상기 소수성 영역을 경계부로 하여, 상기 캐리어 전달층 상부의 화소 영역에 용액타입의 발광물질을 이용하여 화소 영역별로 적, 녹, 청 발광층이 차례대로 형성된 구조로 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층을 덮는 기판 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
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화면을 구현하는 최소 단위 영역이며, 서로 이격되게 위치하는 다수 개의 화소 영역과, 상기 화소 영역 간 이격 구간에 위치하는 비화소 영역이 정의된 기판 상에, 화소 영역별로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계와; 상기 애노드 전극 상부의 비화소 영역에 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막 상부의 비화소 영역을 선택적으로 소수성 처리하여 소수성 영역을 형성하는 단계와; 상기 소수성 영역을 경계부로 하여, 상기 층간 절연막 상부의 화소 영역에 용액타입의 유기발광물질을 이용하여 화소 영역별 적, 녹, 청 유기발광층이 차례대로 형성된 구조로 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층을 덮는 기판 전면에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
4 4
화면을 구현하는 최소 단위 영역이며, 서로 이격되게 위치하는 다수 개의 화소 영역과, 상기 화소 영역 간 이격 구간에 위치하는 비화소 영역이 정의된 기판 상에, 화소 영역별로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계와; 상기 애노드 전극 상부의 비화소 영역에 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막 상부를 덮는 기판 전면에 정공전달층을 형성하는 단계와; 상기 정공전달층 상부의 비화소 영역을 선택적으로 소수성 처리하여 소수성 영역을 형성하는 단계와; 상기 소수성 영역을 경계부로 하여, 상기 정공전달층 상부의 화소 영역에 용액타입의 발광물질을 이용하여 화소 영역별 적, 녹, 청 발광층이 차례대로 형성된 구조로 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층을 덮는 기판 전면에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
5 5
제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 애노드 전극의 테두리부는 상기 비화소 영역과 일정간격 중첩되며, 상기 층간절연막은, 상기 비화소 영역에 위치하는 애노드 전극의 테두리부와 중첩되게 형성하는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 애노드 전극과 대응되게 위치하는 층간 절연막 영역은 소수성 영역에서 제외되는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소수성 처리는, 자외선 처리 또는 소수성을 가지는 소프트 몰드를 이용한 공정 중 어느 하나를 이용하여 이루어지는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 소프트 몰드는 PDMS(polydimethylsiloxane)인 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
9 9
제 3 항에 있어서, 상기 유기발광층을 형성하는 단계는, 정공전달층을 형성하는 단계와, 정공전달층 상부에 발광층을 형성하는 단계를 차례대로 포함하는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
10 10
제 9 항 또는 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 정공전달층은, 정공주입층 또는 정공수송층 중 어느 한층, 또는 정공주입층 및 정공수송층 이중층 구조 중 어느 하나로 이루어지는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
11 11
제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계에서는 잉크젯 프린팅법이 이용되는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 애노드 전극 사이에는 절연층이 개재되는 풀컬러 구조 유기전계발광 소자의 제조방법
13 13
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 따른 제조 방법에 의해 형성된 풀컬러 구조 유기전계발광 소자
14 13
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 따른 제조 방법에 의해 형성된 풀컬러 구조 유기전계발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.