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기판 상에 수직하게 교차하여 다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 스위칭 소자와 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 구동 소자의 드레인 전극과 접촉하면서 화소 영역에 위치하는 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극이 형성된 기판의 전면에 무기 절연막과, 유기 절연막을 적층하는 단계와; 상기 유기 절연막과 무기 절연막을 동일 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 화소 영역의 경계에 대응하여 근접한 제 1 화소 전극을 덮는 절연층과, 상기 절연층의 상부에 위치하고, 평면적으로 절연층의 주변과는 이격되어 위치한 격벽을 형성하는 단계와; 상기 화소 영역에 대응하여 노출된 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 소스 전극은 상기 데이터 배선과 연결되고, 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동 소자의 게이트 전극과 연결되어 구성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하는 전원 배선(power line)이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 전자를 주입하는 음극전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같은 투명 도전성 금속그룹 중 선택하여 형성하고, 상기 음극 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg) 또는, 리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속층 중 선택된 하나로 형성한 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 감광성 유기절연물질 그룹 중 선택하여 형성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 무기 절연막은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하여 형성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 제 1 전극을 벗어난 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 절연층과 격벽을 형성하는 단계는 상기 무기 절연막의 상부에 유기 절연막을 적층한 후, 상기 화소 영역의 양측에 대응하여 투과부와 반투과부가 대응되고, 상기 화소 영역에 투과부가 대응되는 마스크를 상기 유기 절연막의 상부에 위치시키는 단계와; 상기 마스크를 통해 하부의 유기 절연막을 노광하는 단계와; 상기 노광된 유기 절연막을 현상하여, 상기 화소 영역의 무기 절연막을 노출하는 동시에, 상기 화소 영역의 경계에 대응하는 무기 절연막의 상부에, 상기 제 1 전극의 일부를 덮는 부분은 낮게 나머지는 높게 형성된 단차진 감광패턴을 형성하는 단계와; 상기 노출된 무기 절연막을 제거하여 하부의 제 1 전극을 노출하는 단계와; 상기 감광패턴을 표면으로부터 일부만 제거하는 공정을 진행하여, 상기 제 1 전극의 일부를 덮는 부분의 감광패턴을 제거하여 그 하부의 무기 절연막을 노출하고, 상기 무기 절연막의 상부에 높게 패턴된 감광패턴인 격벽을 형성하는 단계 를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 마스크의 반투과부에는 슬릿이 구성되어, 통과된 빛을 회절하도록 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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기판 상에 수직하게 교차하여 다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 스위칭 소자와 구동소자를 형성하는 단계와;상기 구동 소자의 드레인 전극과 접촉하면서 화소 영역에 위치하는 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극이 형성된 기판의 전면에 유기 절연막을 적층하는 단계와;상기 유기 절연막을 패턴하여, 상기 화소 영역의 경계에 대응하여 근접한 제 1 화소 전극을 덮는 절연층과, 상기 절연층의 상부에 위치하고 평면적으로 절연층의 주변과는 이격되어 위치한 격벽을 형성하는 단계와;상기 화소 영역에 대응하여 노출된 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와;상기 발광층의 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 소스 전극은 상기 데이터 배선과 연결되고, 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 구동 소자의 게이트 전극과 연결되어 구성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하는 전원 배선(power line)이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 전자를 주입하는 음극전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같은 투명 도전성 금속그룹 중 선택하여 형성하고, 상기 음극 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg) 또는, 리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속층 중 선택된 하나로 형성한 유기전계 발광소자 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)을 포함하는 감광성 유기절연물질 그룹 중 선택하여 형성된 유기전계 발광소자 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 제 1 전극을 벗어난 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 절연층과 격벽을 형성하는 단계는 상기 유기 절연막을 형성한 후, 상기 화소 영역의 양측에 대응하여 투과부와 반투과부가 대응되고, 상기 화소 영역에 투과부가 대응되는 마스크를 상기 유기 절연막의 상부에 위치시키는 단계와;상기 마스크를 통해 하부의 유기 절연막을 노광하는 단계와;상기 노광된 유기 절연막을 현상하여, 상기 화소 영역의 상기 제 1 전극을 노출하는 동시에, 상기 제 1 전극의 일부를 덮는 낮은 높이의 절연층과 나머지 높게 형성된 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 마스크의 반투과부에는 슬릿이 구성되어, 통과된 빛을 회절하도록 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 마스크의 반투과부에는 슬릿이 구성되어, 통과된 빛을 회절하도록 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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