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사파이어 기판 위에 형성된 버퍼층과;
상기 버퍼층 위에 2개의 상반된 도핑층-상측 도핑층 및 하측 도핑층-과 이들 도핑층 사이에 개재된 활성층으로 구성된 LED 구조체와;
상기 LED 구조체의 양단에 형성된 서로 상반된 전극으로 이루어진 것으로서, 상기 버퍼층의 두께를 10 내지 40 마이크로미터로 하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제1항에 있어서, 상기 상측 도핑층의 두께를 10 내지 40 마이크로미터로 하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상측 도핑층은 p형 클래드층, 상기 하측 도핑층은 n형 클래드층으로 하고, 상기 LED 구조체의 양단에 형성된 전극은 n측 전극 및 p측 전극을 포함하고, 상기 p측 전극은 투명 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제5항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN, InGaN, 또는 AlGaN으로, 상기 n형 클래드층은 n형 GaN으로, 상기 활성층은 AlGaInN으로, 상기 p형 클래드층은 p형 GaN으로, 상기 p측 전극은 Pd, Pt, Pd/Au, Pt/Au, Ni/Au, 또는 NiO/Au로, 상기 n측 전극은 Ni, Al/Ni/Au, Al/Ti/Au 또는 Al/Pt/Au로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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사파이어 기판 위에 형성된 버퍼층과;
상기 버퍼층 위에 2개의 상반된 도핑층-상측 도핑층 및 하측 도핑층-과 이들 도핑층 사이에 개재된 활성층으로 구성된 LED 구조체와;
상기 LED 구조체의 양단에 형성된 서로 상반된 전극으로 이루어진 것으로서, 상기 하측 도핑층과 상기 버퍼층이 요철 형상으로 접촉된 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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8
(a) 사파이어 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;
(b) 상기 버퍼층 위에 n형 클래드층을 형성하는 단계;
(c) 상기 n형 클래드층 위에 다중양자우물(MQW)로 활성층을 형성하는 단계;
(d) 상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 단계;
(e) 상기 p형 클래드층과 활성층을 순차적으로 식각하여 상기 n형 클래드층을 노출시키는 단계; 및
(f) 상기 노출된 n형 클래드층과 상기 p형 클래드층 위에 각각 전극-n측 전극 및 p측 전극-을 형성하는 단계로 구성되고, 상기 (a)단계의 상기 버퍼층을 형성함에 있어서, 상기 버퍼층의 두께를 10 내지 40 마이크로미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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9
제8항에 있어서, 상기 (d)단계의 상기 p형 클래드층을 형성함에 있어서, 상기 p형 클래드층의 두께를 10 내지 40 마이크로미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 (a)단계의 상기 버퍼층은 GaN, InGaN, 또는 AlGaN으로, 상기 (b)단계의 상기 n형 클래드층은 n형 GaN으로, 상기 (c)단계의 상기 활성층은 AlGaInN으로, 상기 (d)단계의 상기 p형 클래드층은 p형 GaN으로, 상기 (f)단계의 상기 p측 전극은 Pd, Pt, Pd/Au, Pt/Au, Ni/Au 또는 NiO/Au로, 상기 n측 전극은 Ni, Al/Ni/Au, Al/Ti/Au 또는 Al/Pt/Au로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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13
(a) 사파이어 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;
(b) 상기 버퍼층을 요철 형상으로 하는 단계;
(c) 상기 버퍼층 위에 n형 클래드층을 형성하는 단계;
(d) 상기 n형 클래드층 위에 다중양자우물(MQW)로 활성층을 형성하는 단계;
(e) 상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 단계;
(f) 상기 p형 클래드층과 활성층을 순차적으로 식각하여 상기 n형 클래드층을 노출시키는 단계; 및
(g) 상기 노출된 n형 클래드층과 상기 p형 클래드층 위에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 (c)단계와 (d)단계 사이에,
(h) 상기 n형 클래드층 상부를 평탄화하는 단계를 더 포함하는 LED 소자의 제조방법
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