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기판 상부에 마스크 물질막을 형성하고, 상기 마스크 물질막을 식각하여 일부의 기판 상부면을 노출시키는 마스크 물질막 패턴을 형성하는 제 1 단계와; 상기 마스크 물질막 패턴에 의해 노출된 기판에서 질화물 반도체 박막층을 성장시키고, 마스크 물질막 패턴 상부에서 합체가 일어나기 전에 성장을 멈춰, 상기 마스크 물질막 패턴을 성장된 질화물 반도체 박막층으로부터 노출시키는 제 2 단계와; 상기 노출된 마스크 물질막 패턴을 식각하여 제거한 후, 질화물 반도체 박막을 계속 측면 성장시켜 합체를 이루도록 하여, 마스크 물질막 패턴이 존재하던 영역에 형성된 보이드(Void)를 가지며, 상부면이 평탄한 질화물 반도체 박막층을 형성하는 제 3 단계로 구성된 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 마스크 물질막 패턴은, SiO2, Si3Nx, TiN, W, Ni, Ti, Ta와 WNx 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 막이거나 이들 물질의 적층막인 것을 특징으로 하는 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 마스크 물질막 패턴은, 상호 이격된 사각 형상들, 삼각 형상들, 육각 형상들과 원 형상들 중 선택된 어느 하나의 형상으로 이루어진 패턴 또는 120°로 휘어진 적어도 하나 이상의 마디를 갖는 패턴인 것을 특징으로 하는 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 상호 이격된 육각 형상들로 이루어진 마스크 물질막 패턴은, 상호 이격된 간격이 동일한 것을 특징으로 하는 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 카바이드(SiC), 사파이어(Sapphire), 갈륨비소(GaAs), 실리콘과 ZnO 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 카바이드(SiC), 사파이어(Sapphire), 갈륨비소(GaAs), 실리콘과 ZnO 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법
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