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반도체 레이저 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015030667
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조공정에서 레이저 다이오드 칩바의 양측 벽개면에 플루오르화(fluorination)에 의한 저온도 페시베이션 공정을 행함으로써, 페시베이션 이전공정에서 만들어진 소자의 고온처리에 의한 열화를 방지할 수 있고 안정하고 에너지밴드갭이 큰 페시베이션층이 형성되어서 소자의 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있다. 반도체 레이저 다이오드, 페시베이션, 플루오르화
Int. CL H01S 5/028 (2006.01)
CPC H01S 5/0282(2013.01) H01S 5/0282(2013.01) H01S 5/0282(2013.01)
출원번호/일자 1020030101334 (2003.12.31)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0587320-0000 (2006.05.30)
공개번호/일자 10-2005-0069340 (2005.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20060608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임원택 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2003-0510091-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058521-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0555788-21
5 의견서
Written Opinion
2005.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0702792-73
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0702791-27
7 등록결정서
Decision to grant
2006.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0247736-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성되는 n-클래드층, 활성층, p-클래드층, 전류방지층을 구비한 복수의 반도체 레이저 다이오드로 형성되는 반도체 레이저 다이오드의 칩바를 제조하는 단계; 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바의 양측 벽개면에 SF6, CF4 또는 F원자를 포함하는 가스를 사용한 프라즈마 강화 기상증착(PECVD)방법에 의해 200~330℃ 온도에서 GaF3박막을 형성하여 페시베이션 공정을 수행하는 단계; 그리고 상기 벽개면의 일측 광출사면에 저반사율(Anti Reflection)미러를, 상기 벽개면의 타측면에 고반사율(High Reflection)미러를 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 저반사율미러의 형성공정과 고반사율미러의 형성공정은 상기 페시베이션 공정을 수행한 챔버내에서 PECVD방법으로 수행됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 저반사율미러의 형성공정은 SiH4/NH3/N2O 가스를 사용하여 SiON박막층으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 SiON박막층의 두께를 λ/4n(단 λ는 레이저 파장, n은 정수)조절됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 고반사율미러의 형성공정은 SiH4와 N2O 가스를 사용하여 SiO2박막층을, SiH4와 NH3가스를 사용하여 SiN박막층을 번갈아 형성하여 복수쌍의 SiO2/SiN박막층으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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8 8
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9 8
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