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기판 상부에 질화갈륨층을 성장시키고, 상기 질화갈륨층 상부에 버퍼층을 성장시켜 상기 질화갈륨층에 존재하는 전위(Dislocation)의 끝단면에 중심이 일치되는 V-결함을 버퍼층에 형성하는 제 1 단계와; 상기 V-결함이 형성된 버퍼층 상부에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상부에 포토레지스트막을 형성하는 제 2 단계와; 상기 절연막이 노출되고, V-결함 내부에 포토레지스트막이 채워지도록, 상기 포토레지스트막의 일부를 플라즈마 에칭으로 제거하는 제 3 단계와; 상기 V-결함 내부에 채워진 포토레지스트막으로 마스킹하여, 상기 버퍼층이 노출되도록, 상기 절연막을 제거한 후, 포토레지스트막을 제거하는 제 4 단계와; 상기 버퍼층과 절연막 상부에 질화갈륨 에피층을 형성하는 제 5 단계로 구성된 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 질화갈륨층과 InGaN층으로 이루어진 다층(Multi-layer) 또는 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 버퍼층은 질화갈륨층과 InGaN층으로 이루어진 다층(Multilayer)인 경우, 상기 InGaN층의 총 조성에서 In의 조성은 2 ~ 30%이고, InGaN층은 5 ~ 100Å 정도의 두께로 형성하고, 질화갈륨층은 5 ~ 10000Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 버퍼층이 질화갈륨층인 경우, 상기 질화갈륨층은 10 ~ 10000Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 SiO2 또는 Si3N4인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판 또는 실리콘 카바이드 기판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 버퍼층은 500 ~ 1000℃ 정도의 저온에서 성장되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 V-결함의 형상은, 상기 버퍼층의 상부면에서 볼 때, 육각형 형상이며; 상기 V-결함의 크기를 상기 육각형 한 면에서 대향되는 다른 면까지의 폭(W)으로 정의될 때, 상기 V-결함의 크기는 500 ~ 5000Å인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 V-결함의 형상은, 상기 버퍼층의 상부면에서 볼 때, 육각형 형상이며; 상기 V-결함의 크기를 상기 육각형 한 면에서 대향되는 다른 면까지의 폭(W)으로 정의될 때, 상기 V-결함의 크기는 500 ~ 5000Å인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피층 성장 방법
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