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결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법

기술번호 : KST2015030699
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법에 관한 것으로, 상부에 스트라이프 형태의 홈이 주기적으로 형성된 기판에 버퍼층과 1차 질화물 반도체 박막을 형성하고, 1차 질화물 반도체 박막에서 결함밀도가 높은 영역은 식각하고, 결함밀도가 낮은 영역은 주기적인 스트라이프 형태의 패턴을 형성한 후, 이 패턴을 이용하여 2차 질화물 반도체 박막을 측면 성장시킴으로써, 결함밀도가 낮은 질화물 반도체 박막을 제조한다. 또는, 본 발명은 결함밀도가 낮은 제 1 질화물 반도체 박막으로 제 2 질화물 반도체 박막이 형성됨으로, 제 2 질화물 반도체 박막은 적은 결함을 유지하며 성장되고, 유전체 마스크 패턴이 있는 영역은 LEO(Lateral Epitaxial Overgrowth) 방식으로 질화물 반도체 박막이 성장하게 되어, 전영역으로 결함밀도가 낮은 제 2 질화물 반도체 박막을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 우수한 결정질을 갖는 질화물 반도체 박막을 사용하여 제조된 광소자나 전자소자는 고효율, 고출력, 고신뢰성의 특성뿐만 아니라 높은 수율을 얻을 수 있는 효과가 있다. 결함, 질화물, 반도체, 박막
Int. CL	H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020030101283 (2003.12.31)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0512580-0000 (2005.08.29)
공개번호/일자	10-2005-0069315 (2005.07.05) 문서열기
공고번호/일자	(20050906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.12.31)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	신종언	대한민국	경기도성남시분당구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2003-0509928-99
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.08.19	수리 (Accepted)	9-1-2005-0052393-09
4	등록결정서 Decision to grant	2005.08.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0413315-64
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 상부에 스트라이프 형태의 홈들이 주기적으로 형성된 기판 상부 전면에 버퍼층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 버퍼층 상부에 제 1 질화물 반도체 박막을 성장시키는 제 2 단계와; 상기 스트라이프 형태의 홈 각각의 상부에 성장된 제 1 질화물 반도체 박막 상부를 마스킹하고, 스트라이프 형태의 홈이 형성되지 않은 영역 상부에 성장된 제 1 질화물 반도체 박막 상부가 노출되도록 유전체 마스크 패턴을 상기 제 1 질화물 반도체 박막 상부에 형성하는 제 3 단계와; 상기 유전체 마스크 패턴을 통해 노출된, 제 1 질화물 반도체 박막을 식각하여, 주기적인 스트라이프 형태로 돌출된 제 1 질화물 반도체 박막 패턴을 형성하고, 상기 유전체 마스크 패턴을 제거하는 제 4 단계와; 상기 질화물 반도체 박막 패턴을 이용하여, 측면 성장을 통해 제 2 질화물 반도체 박막을 형성하는 제 5 단계로 구성된 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
2	2 상부에 스트라이프 형태의 홈들이 주기적으로 형성된 기판 상부 전면에 버퍼층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 버퍼층 상부에 제 1 질화물 반도체 박막을 성장시키는 제 2 단계와; 상기 스트라이프 형태의 홈이 있는 기판 상부에 성장된 제 1 질화물 반도체 박막 상부를 노출시키고, 스트라이프 형태의 홈이 형성되지 않은 기판 상부에 성장된 제 1 질화물 반도체 박막 상부가 마스킹되도록 유전체 마스크 패턴을 상기 제 1 질화물 반도체 박막 상부에 형성하는 제 3 단계와; 상기 유전체 마스크 패턴을 통해 노출된, 제 1 질화물 반도체 박막 상부에, 측면 성장을 통해 제 2 질화물 반도체 박막을 형성하는 제 4 단계로 구성된 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 상부에 스트라이프 형태의 홈들이 주기적으로 형성된 기판은, 상기 기판 상부에 일정한 간격(d2)으로 기판이 노출되는 유전체 마스크 패턴을 형성하고; 상기 유전체 마스크 패턴에 의해 노출된 기판을 일정한 깊이(d3)만큼 식각하고; 상기 유전체 마스크 패턴을 제거하여 형성되는 것을 특징으로 하는 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 유전체 마스크 패턴에 의해 노출된 기판의 간격(d2)은, 0
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 식각되어지는 기판의 깊이는, 0
6	6 제 3 항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘 카바이드(SiC), 사파이어(Sapphire), 갈륨비소(GaAs)와 질화갈륨(GaN) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
7	7 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 버퍼층은 AlxGayIn1-x-yN층(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0 ≤x+y ≤1), SiN층과 이들이 적층된 적층막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
8	8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 단계를 수행 한 후의 제 1 질화물 반도체 박막은, 상기 스트라이프 형태의 홈이 형성되지 않은 영역 상부에 형성된 영역은 결함밀도가 높고, 상기 스트라이프 형태의 홈 상부에 형성된 영역은 결함밀도가 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 유전체 마스크 패턴은, 결함밀도가 낮은 제 1 질화물 반도체 박막 영역은 마스킹하고, 결함밀도가 높은 제 1 질화물 반도체 박막 영역은 노출시키는 것을 특징으로 하는 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
10	9 제 8 항에 있어서, 상기 유전체 마스크 패턴은, 결함밀도가 낮은 제 1 질화물 반도체 박막 영역은 마스킹하고, 결함밀도가 높은 제 1 질화물 반도체 박막 영역은 노출시키는 것을 특징으로 하는 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP01551056	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	EP01551056	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
3	EP01551056	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
4	JP04614125	JP	일본	FAMILY
5	JP17197721	JP	일본	FAMILY
6	US07198971	US	미국	FAMILY
7	US20050139857	US	미국	FAMILY
8	US20070190678	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN1638041	CN	중국	DOCDBFAMILY
2	EP1551056	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
3	EP1551056	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
4	EP1551056	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
5	JP2005197721	JP	일본	DOCDBFAMILY
6	JP4614125	JP	일본	DOCDBFAMILY
7	US2005139857	US	미국	DOCDBFAMILY
8	US2007190678	US	미국	DOCDBFAMILY
9	US7198971	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-0512580-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031231 출원 번호 : 1020030101283 공고 연월일 : 20050906 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050826 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170830

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	567,000 원	2005년 08월 30일	납입
제 4 년분	금 액	258,000 원	2008년 06월 18일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2009년 06월 19일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2010년 06월 30일	납입
제 7 년분	금 액	442,000 원	2011년 06월 20일	납입
제 8 년분	금 액	442,000 원	2012년 07월 27일	납입
제 9 년분	금 액	442,000 원	2013년 07월 24일	납입
제 10 년분	금 액	735,000 원	2014년 07월 24일	납입
제 11 년분	금 액	735,000 원	2015년 07월 24일	납입
제 12 년분	금 액	735,000 원	2016년 07월 22일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2003-0509928-99
2	선행기술조사의뢰서	2005.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.08.19	수리 (Accepted)	9-1-2005-0052393-09
4	등록결정서	2005.08.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0413315-64
5	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
6	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015030699
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
기술개요	본 발명은 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법에 관한 것으로, 상부에 스트라이프 형태의 홈이 주기적으로 형성된 기판에 버퍼층과 1차 질화물 반도체 박막을 형성하고, 1차 질화물 반도체 박막에서 결함밀도가 높은 영역은 식각하고, 결함밀도가 낮은 영역은 주기적인 스트라이프 형태의 패턴을 형성한 후, 이 패턴을 이용하여 2차 질화물 반도체 박막을 측면 성장시킴으로써, 결함밀도가 낮은 질화물 반도체 박막을 제조한다. 또는, 본 발명은 결함밀도가 낮은 제 1 질화물 반도체 박막으로 제 2 질화물 반도체 박막이 형성됨으로, 제 2 질화물 반도체 박막은 적은 결함을 유지하며 성장되고, 유전체 마스크 패턴이 있는 영역은 LEO(Lateral Epitaxial Overgrowth) 방식으로 질화물 반도체 박막이 성장하게 되어, 전영역으로 결함밀도가 낮은 제 2 질화물 반도체 박막을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 우수한 결정질을 갖는 질화물 반도체 박막을 사용하여 제조된 광소자나 전자소자는 고효율, 고출력, 고신뢰성의 특성뿐만 아니라 높은 수율을 얻을 수 있는 효과가 있다. 결함, 질화물, 반도체, 박막
개발상태
기술의 우수성
응용분야
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희망거래유형
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