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반도체 기판위에;
2개의 상반된 도핑층-상측 도핑층 및 하측 도핑층-과 이들 도핑층 사이에 개재된 활성층으로 구성된 LED 구조체와;
상기 LED 구조체의 양단에 형성된 서로 상반된 전극으로 이루어진 것으로서, 상기 상측 도핑층의 두께를 10 내지 40 마이크로미터로 하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판과 LED 구조체 사이에 버퍼층이 더 포함된 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제3항에 있어서, 상기 상측 도핑층은 p형 클래드층, 상기 하측 도핑층은 n형 클래드층으로 하고, 상기 LED 구조체의 양단에 형성된 전극은 n측 전극 및 p측 전극을 포함하고, 상기 p측 전극은 전류확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제4항에 있어서, 상기 반도체 기판은 사파이어(Al2O3), AlN, SiC 또는 GaN로, 상기 버퍼층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN으로, 상기 n형 클래드층은 n형 GaN으로, 상기 활성층은 AlGaInN으로, 상기 p형 클래드층은 p형 GaN으로, 상기 p측 전극은 Pd, Pt, Pd/Au, Pt/Au, Ni/Au 또는 NiO/Au로, 상기 n측 전극은 Ni, Al/Ni/Au, Al/Ti/Au 또는 Al/Pt/Au로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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반도체 기판위에;
2개의 상반된 도핑층-상측 도핑층 및 하측 도핑층-과 이들 도핑층 사이에 개재된 활성층으로 구성된 LED 구조체와;
상기 LED 구조체의 양단에 형성된 서로 상반된 전극으로 이루어진 것으로서,
상기 상측 도핑층과 상기 상반된 전극 중 하나의 전극 사이에, 터널접합층 또는 초격자층을 형성하고, 상기 터널접합층 또는 상기 초격자층의 상부에 상기 터널접합층 또는 상기 초격자층과 유사한 굴절율을 가지는 요철형상층을 포함하고, 상기 상반된 전극 중 상기 하나의 전극은, 전류확산층을 포함하며, 상기 전류확산층과 상기 요철형상층은, 요철형상으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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제6항에 있어서, 상기 전류확산층은, 두께가 10 내지 50 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 LED 소자의 구조
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(a) 반도체 기판 위에 n형 클래드층을 형성하는 단계;
(b) 상기 n형 클래드층 위에 다중양자우물(MQW)로 활성층을 형성하는 단계;
(c) 상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 단계;
(d) 상기 n형 클래드층 위에 형성된 각 층을 순차적으로 식각하여, 상기 n형 클래드층을 노출시키는 단계; 및
(e) 상기 노출된 n형 클래드층과 p형 클래드층 위에 각각 전극-n측 전극 및 p측 전극-을 형성하는 단계로 구성되고, 상기 (c)단계의 상기 p형 클래드층을 형성함에 있어서, 상기 p형 클래드층의 두께를 10 내지 40 마이크로미터로 하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (a)단계 전에,
(f) 상기 반도체 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계가 추가된 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 반도체 기판은 사파이어(Al2O3)로, 상기 (f)단계의 상기 버퍼층은 GaN, InGaN, 또는 AlGaN으로, 상기 (a)단계의 상기 n형 클래드층은 n형 GaN으로, 상기 (b)단계의 상기 활성층은 AlGaInN으로, 상기 (c)단계의 상기 p형 클래드층은 p형 GaN으로, 상기 (e)단계의 상기 p측 전극은 Pd, Pt, Pd/Au, Pt/Au, Ni/Au 또는 NiO/Au로, 상기 n측 전극은 Ni, Al/Ni/Au, Al/Ti/Au 또는 Al/Pt/Au로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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(a) 반도체 기판 위에 n형 클래드층을 형성하는 단계;
(b) 상기 n형 클래드층 위에 다중양자우물(MQW)로 활성층을 형성하는 단계;
(c) 상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 단계;
(d) 상기 p형 클래드 층 위에 터널접합층 또는 초격자층을 형성하는 단계;
(e) 상기 터널접합층 또는 상기 초격자층 위에 n형 GaN층을 형성하는 단계;
(f) 상기 n형 GaN층의 상측 표면에 요철 형상을 형성하는 단계;
(g) 요철 형상의 상기 n형 GaN층 위에 전류확산층을 형성하는 단계;
(h) 상기 n형 클래드층 위에 형성된 각 층을 순차적으로 식각하여, 상기 n형 클래드층을 노출시키는 단계; 및
(i) 상기 노출된 n형 클래드층과 p형 클래드층 위에 각각 전극-n측 전극 및 p측 전극-을 형성하는 단계로 구성되는 LED 소자의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 전류확산층은, 두께가 10 내지 50 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
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