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반도체 레이저 다이오드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015030776
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 특히 반도체의 n쪽에 리지 구조를 갖도록 반도체 레이저를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판, 도핑되지 않은 GaN 층, n-타입 층, 활성층, EBL, p-타입 층을 순차적으로 증착하여 질화물 반도체 층을 형성하는 단계와; 상기 p-타입 층 상부에 별도의 고정 기판을 접착하여 질화물 반도체 층을 고정시키는 단계와; 상기 질화물 반도체 층의 기판 및 도핑되지 않은 GaN층을 래핑하여 제거하는 단계와; 상기 n-타입 층에 리지 구조를 형성하는 단계와; 상기 리지 구조 상부에 n-패드 메탈을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어짐으로써, n-타입 층에 리지 구조를 손쉽게 형성하고, 소자의 I-V 특성을 향상시키며, 열 발생 억제 및 동작 수명 연장 등의 개선 효과가 있다. 질화물 반도체 레이저 다이오드, 리지, 웨이퍼 본딩
Int. CL H01S 5/323 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020040003891 (2004.01.19)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1014720-0000 (2011.02.08)
공개번호/일자 10-2005-0076089 (2005.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0022638-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0908199-97
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0908200-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011145-50
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0323718-89
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0608434-22
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0608436-13
12 등록결정서
Decision to grant
2010.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0598569-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
기판, 도핑되지 않은 GaN 층, n-타입 층, 활성층, EBL, p-타입 층을 순차적으로 증착하여 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 p-타입 층 상부에 별도의 고정 기판을 접착하여 질화물 반도체 층을 고정시키는 단계; 상기 질화물 반도체 층의 기판 및 도핑되지 않은 GaN층을 래핑하여 제거하는 단계; 상기 n-타입 층에 리지 구조를 형성하는 단계; 및 상기 리지 구조 상부에 n-패드 메탈을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고정 기판으로 GaAs 또는 Si를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 질화물 반도체 층 고정 단계는, 상기 p-타입 층 상부에 p-오믹 메탈을 증착하는 단계; 상기 p-오믹 메탈 상부에 패드 메탈 및 본딩 메탈을 증착시키는 단계; 상기 고정 기판에 본딩 메탈을 접착시키는 단계; 및 상기 증착된 패드 메탈 및 본딩 메탈 상부에 상기 본딩 메탈이 증착된 고정 기판을 압착하면서 열처리하여 접착시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 p-타입 층 상부의 p-GaN 층과 상기 p-오믹 메탈 사이를 오믹(Ohmic) 상태로 만들기 위해 열처리하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 GaN층이 제거된 면의 손상을 줄이기 위해 RIE와 열처리를 수행하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 리지 구조 형성 단계는, 상기 n-타입 층의 n-클래딩 층, InGaN 층, n-GaN층의 중앙 부분만 남기고 좌, 우를 에칭하여 제거하는 단계; 및 상기 n-타입 층의 n-클래딩 층, InGaN 층, n-GaN층이 제거된 면에 절연막을 증착하는 단계;를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01555732 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01555732 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01555732 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP17210124 JP 일본 FAMILY
5 US07074633 US 미국 FAMILY
6 US20050157768 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1328832 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1645693 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1555732 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1555732 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1555732 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2005210124 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2005157768 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US7074633 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.